YZPST-BD139-16
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YZPST-BD139-16

TRANSISTOR DE SILICIO NPN P/N: YZPST-BD139-16

El transistor de silicio NPN BD139-16 tiene tipos PNP complementarios que son los BD140-16

DESCRIPCIÓN
El BD139-16 es un transistor NPN de silicio epitaxial plano
en un paquete plástico TO-126 de Jedec, diseñado para amplificadores de audio
y controladores que utilizan circuitos complementarios o cuasi
complementarios.

Los tipos PNP complementarios son los BD140-16

Correo electrónico: info@yzpst.net

Tel: 008613805278321

Whatsapp: 8613805278321

descripción1
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NPN TRANSISTOR DE SILICIO P/N:YZPST-BD139-16

TRANSISTOR DE SILICIO NPN P/N: YZPST-BD139-16

El transistor de silicio NPN BD139-16 tiene tipos complementarios PNP que son el BD140-16

DESCRIPCIÓN
El BD139-16 es un transistor NPN de silicio epitaxial plano
en un paquete plástico TO-126 de Jedec, diseñado para audio
amplificadores y controladores que utilizan circuitos complementarios o cuasi
circuitos complementarios.

Los tipos PNP complementarios son el BD140-16

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS ( Ta = 25 O C)

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Voltaje Colector-Base

VCBO

80

V

Voltaje Colector-Emisor

VCEO

80

V

Voltaje Emisor-Base

VEBO

5.0

V

Corriente del Colector

IC

1.5

A

Corriente Base

IB

0.5

A

Disipación Total en

Ptot

12.5

W

Temperatura Máxima de Operación

Tj

150

oC

Temperatura de almacenamiento

Tstg

-55~150

oC

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ( Ta = 25 O C)

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Mín. Típ. Máx. Unidad
Corriente de corte del colector ICBO VCB = 80V, IE = 0 10 μA
Corriente de corte del emisor IEBO
VEB = 5.0V, IC = 0 10 μA
VCEO
Voltaje de Sostenimiento Colector-Emisor IC = 1.0mA, IB = 0 80 V
VCE = 2.0V, IC = 0.15A 100 250
Ganancia de Corriente Continua hFE
VCE = 2.0V, IC = 0.5A 100
VCE(sat)
Voltaje de Saturación Colector-Emisor IC = 0.5A, IB = 0.05A 0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC = 0.5A, VCE = 2.0V 1 V
fT
Transition Frequency VCE = 5V,IC = 50mA 80 MHz

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