YZPST-BD139-16
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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TRANSISTOR DE SILICIO NPN P/N: YZPST-BD139-16
Los tipos complementarios PNP del BD139-16 son los BD140-16
DESCRIPCIÓN
El BD139-16 es un transistor NPN de silicio epitaxial planar
en encapsulado plástico TO-126 de JEDEC, diseñado para audio
amplificadores y drivers que utilizan circuitos complementarios o cuasi
complementarios.
Los tipos complementarios PNP son los BD140-16
LÍMITES MÁXIMOS ABSOLUTOS( Ta = 25 OC)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Tensión colector-base | VCBO | 80 | V |
Tensión colector-emisor | VCEO | 80 | V |
Tensión emisor-base | VEBO | 5.0 | V |
Corriente de colector | IC | 1.5 | A |
Corriente de base | IB | 0.5 | A |
Disipación total a | Ptot | 12.5 | W |
Temperatura máxima de unión de funcionamiento | Tj | 150 | °C |
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS( Ta = 25 OC)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Corriente de corte del colector | ICBO | VCB = 80V, IE = 0 | 10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Corriente de corte del emisor | IEBO | |||||
| VEB = 5.0V, IC = 0 | 10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tensión de sostenimiento colector-emisor | IC = 1.0mA, IB = 0 | 80 | — | — | V | |
| VCE = 2.0V, IC = 0.15A | 100 | 250 | ||||
| Ganancia de corriente continua | hFE | |||||
| VCE = 2.0V, IC = 0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Tensión de saturación colector-emisor | IC = 0.5A, IB = 0.05A | 0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tensión base-emisor | IC = 0.5A, VCE = 2.0V | 1 | V | |||
| fT | ||||||
| Frecuencia de transición | VCE = 5V,IC = 50mA | 80 | MHz |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
