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YZPST-S4A010120A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-S4A010120A
Diodo Schottky de carburo de silicio
Características
Corriente de recuperación inversa cero
Tensión de recuperación directa cero
Coeficiente de temperatura positivo en VF
Conmutación independiente de la temperatura
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C
Ventajas
Sustituye dispositivos bipolares por un dispositivo unipolar
Reducción del tamaño del disipador de calor
Dispositivos en paralelo sin fuga térmica
Prácticamente sin pérdidas de conmutación
Aplicaciones
Fuentes de alimentación conmutadas
Corrección del factor de potencia
Accionamientos de motor, inversor fotovoltaico, central eólica
Máx.máximo Clasificaciones
Símbo | Parámetror | Valore | UUnidad | TPrueba Condiciones | NNota |
vRRM | Pico repetitivo Recuperación inversa Voltaje | 1200 | V | TC = 25C | |
vRSM | Sobretensión Tensión inversa máxima | 1200 | V | TC = 25C | |
vR | Bloqueo de CCión Voltaje | 1200 | V | TC = 25C | |
IF | Corriente directat | 30 14 10 | A | TC ≤ 25C TC ≤ 135C TC ≤ 150C | |
IFSM | No repetitivoiva Directa Sobretensión Corriente | 95 | A | TC = 25C, tp = 8,3 ms, onda sinusoidal semionda | |
Ptot | Disipación de potenciadisipación | 150 | W | TC = 25C | Fig..3 |
TC | Máxim Encapsulado Temperatura | 150 | C | ||
TJ , TSTG | Ofuncionamiento Unión y Almacenamiento Temperatura | -55 a 175 | C | ||
TO-Par de montaje de 220 | 1 | Nm | Tornillo M3w |
Eléctricas Características
Símbo | Parámetror | Típ.. | Máx. | UUnidad | TPrueba Condiciones | NNota |
VF | Tensión directade | 10,55 2.2 | 1.8 2.5 | V | IF = 10A, TJ = 25C IF = 10A, TJ 175C | Fig..1 |
IR | Corriente inversat | 2 10 | 20 200 | µA | VR 1200V, TJ 25C VR 1200V, TJ 175C | Fig..2 |
C | Capacitancia total | 650 49 40 | / | pF | VR = 0V, TJ = 25C, f= 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f = 1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f = 1MHz | Fig..5 |
| C | Total Carga capacitiva | 29 | / | nC | VR = 800V, IF = 10A di/dt = 200A/µs, TJ = 25C | Fig..4 |
Encapsulado Dimensiones
Paqueteage TO-220-2
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
