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YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Diodo Schottky SiC Diodo
Características
Tensión de recuperación directa cero
Corriente de recuperación inversa cero
Excelente capacidad de corriente de sobretensión
Conmutación independiente de la temperatura
Coeficiente de temperatura positivo en VF
Funcionamiento a alta frecuencia
Ventajas
Mayor densidad de potencia
Prácticamente sin pérdidas de conmutación
Reducción de los requisitos del disipador térmico
Mayor eficiencia
EMI reducida
Aplicaciones
Sistemas de alimentación ininterrumpida
Fuentes de alimentación conmutadas
Corrección del factor de potencia
Controladores de motor
Valores máximos nominales (Tj=25℃ salvo que se indique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Valor | Unidad |
VRRM | Pico repetitivo tensión inversa |
| 1200 | V |
VRSM | Sobretensión Tensión inversa máxima de pico |
| 1200 | V |
IF | Corriente directa continua | TC=25°C TC=155 °C | 35*/70** 10*/20** | A |
IFSM | Corriente de sobretensión directa no repetitivad | TC=25°C , tp=10 ms, Semiondave | 105* | A |
IFRM | Pico repetitivo Sobretensión directa Corriente | TC=25°C , tp=10 ms, Onda senoidal de media semionda | 60* | A |
∫i2dt | i2t valor | TC=25°C , tp=10 ms | 55.1* | A2S |
Ptot | Disipación de potencia | TC=25°C TC=110 °C | 197* 85* | W |
Tj | Temperatura de la unión en funcionamientoratura |
| -55~175 | °C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento |
| -55~175 | °C |
Esquemas del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
