YZPST-BTA216-800B
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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BTA216 TRIACs
YZPST-BTA216-800B
DESCRIPCIÓN:
Gracias a la pasivación de vidrio separada, estos dispositivos ofrecen un buen
rendimiento frente a dv/dt y fiabilidad. La serie Triac es adecuada para conmutación de CA de uso general. Pueden utilizarse como función de encendido/apagado
en aplicaciones como relés estáticos, control de calefacción o para operación de control de fase en reguladores de luz, controladores de velocidad de motor.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
| Símbolo | Valor | Unidad |
| IT(RMS) | 16 | A |
| VDRM/VRRM | 600/800 | V |
| IGT | ≤10 | mA |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | PARÁMETRO | Valor | Unidad | |
| IT(RMS) | Corriente RMS en estado de conducción (onda sinusoidal completane ) | TO-220.Sin aislar TC≤99 ℃ | 16 | A |
| Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción | t=20 ms | 140 | ||
| ITSM | (onda sinusoidal completa, Tj=25 ℃) | t= 16,7 ms | 150 | A |
| I2t | I2Valor t para fusión | t= 10 ms | 98 | A2S |
| di/dt | Pico de de subida de on-de conducción Corrientedespués del disparo | ITM = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0,2 A/us | 100 | A/μs |
| IGM | Pico de compuerta corriente, | — | 2 | A |
| VGM | Tensión máxima de puerta | — | 5 | W |
| PGM | Potencia de pico de compuerta | — | 5 | W |
| PG(AV) | Potencia media de compuerta | durante cualquier período de 20 ms | 0.5 | W |
| Tstg | Almacenamiento rango de temperatura de unióngo | -40 a +150 | ℃ | |
| Tj | Funcionamiento unión temperatura rango | 125 | ℃ | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Cuadrante | Valor | Unidad | ||
| MÍN | TIPO | MAX | |||||
| IGT | Corriente de disparo de puerta | VD= 12 V, IT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | 10 | mA |
| VD= 12 V, IT=0. 1A | - | 0.7 | 1.5 | ||||
| VGT | Tensión de disparo de puerta | VD=400 V, IT=0. 1 A,Tj= 125 °C | 0.25 | 0.4 | - | V | |
| VT | Tensión en estado de conducción | IT=20 A | - | 1.2 | 1.5 | V | |
| IH | Corriente de mantenimiento | VD= 12 V, IGT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | - | - | 60 | mA | |||
| IL | Corriente de enclavamiento | VD= 12 V, IGT=0. 1A | Ⅱ | - | - | 90 | mA |
| ID | Corriente de fuga en estado de bloqueo | VD = VDRM(máx); Tj= 125 ˚C | - | 0.1 | 0.5 | mA | |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
