YZPST-BTA40
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Alta capacidad de conmutación
Baja resistencia térmica con unión por clip
Encapsulado aislado RD91 de alta potencia:
-Baja resistencia térmica con unión por clip
-Tensión de aislamiento: 2500 VRMS
| Símbolo | Valor | Unidad |
IT(RMS) | 40 | A |
| VDRM /VRRM | 1000 | V |
VTM | 1.55 | V |
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40-150 | °C | |
Rango de temperatura de unión en funcionamiento | Tj | -40-125 | °C | |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (Tj=25°C) | Vdrm | 1000 | V | |
Tensión repetitiva de pico inversa (Tj=25°C) | Vrrm | 1000 | V | |
Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva | Vdsm | Vdrm+100 | V | |
Tensión inversa de pico no repetitiva | Vrsm | Vrrm+100 | V | |
Corriente eficaz en estado de conducción | RD91 (T =80°C) | Se(rms) | 40 | A |
Corriente máxima de pico de sobrecarga no repetitiva en estado de conducción (ciclo completo, F=50 Hz) | Itsm | 400 | A | |
l2Valor t para fusión (tp=10 ms) | l2t | 880 | A2s | |
Tasa crítica de incremento de la corriente en estado de conducción(Ig=2x|gt) | dl/dt | 50 | A/ps | |
Corriente de pico de compuerta | Igm | 4 | A | |
Disipación media de potencia de compuerta | Pg(av) | 1 | W | |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
