YZPST-BTA24-800BW Triac BTA24-800BW de 800 V y alta capacidad dv/dt, 25 A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BTA24/BTB24 de triacs de 25 A
Triac BTA24-800BW de 800 V y alta capacidad dv/dt, 25 A
YZPST-BTA24-800BW
DESCRIPCIÓN:
Con alta capacidad para soportar la carga de choque de grandes corrientes, los triacs de la serie BTA24/BTB24 ofrecen una alta tasa dv/dt con fuerte resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Con excelentes prestaciones de conmutación, los productos de 3 cuadrantes se recomiendan especialmente para cargas inductivas. Con las tres terminales conectadas a un disipador externo, BTA24 ofrece una tensión de aislamiento nominal de 2500 VRMS conforme a las normas UL
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 25 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado de reposo (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Tensión repetitiva máxima inversa (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 25 | A |
Corriente máxima de pico no repetitiva en conducción (ciclo completo, F=50 Hz) |
ITSM |
250 |
A |
Valor de I²t para fusible (tp=10 ms) | I2t | 340 | A2s |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción(IG=2 ×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
potencia pico de compuerta | PGM | 10 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
3 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | |||||
| Condición de prueba | Cuadrante | CW | BW | Unidad | ||
| IGT | VD=12V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |
| IH | IT100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Apertura de puerta | ||||||
| dV/dt | MÍN | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
4 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | |||||
| Condición de prueba | Cuadrante | C | B | Unidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IH | IT100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Apertura de puerta | ||||||
| dV/dt | MÍN | 200 | 500 | V/ µs | ||
TÉRMICAS RESISTENCIAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
| TO-220A (aislado)） | 1.5 | |||
| TO-220F (aislado)） | 1.6 | |||
| TO-263 | 2.1 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | unión a case(CA) | TO-3P | 0.68 | |
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
