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YZPST-BTA312X-600D
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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P/N:YZPST-BTA312X-600D TRIACS
DESCRIPCIÓN
Gracias a la tecnología de mesa y la pasivación con vidrio, estos dispositivos tienen buen
rendimiento frente a dv/dt y alta fiabilidad. La serie Triac es adecuada para conmutación de CA de uso general.
Pueden utilizarse para control de motores de alta potencia, por ejemplo:
lavadoras, aspiradoras y compresores de refrigeración y aire acondicionado
termostatos electrónicos.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
| Símbolo | Valor | Unidad |
| IT(RMS) | 12 | A |
| VDRM/VRRM | 600 | V |
| IGT | ≤5 | mA |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | PARÁMETRO | Valor | Unidad | |
| IT(RMS) | Corriente RMS en estado de conducción (senoidal deonda completa senoidal) | TO-220F ，Th≤61℃ | 12 | A |
| corriente máxima de pico no repetitiva en estado de conducción | F=50Hz ，t=20ms | 95 | ||
| ITSM | (onda senoidal completa de onda, Tj=25 ℃) | F=60Hz ，t= 16.7ms | 105 | A |
| I2t | I2Valor t para fusión | tp= 10ms | 45 | A2S |
| di/dt | Pico de de subida de on-de conducción Corrientedespués del disparo | IT = 20 A; IG = 0,2 A; dIG/dt = 0,2 A/µs | A/μs | |
| 100 | ||||
| VDRM VRRM | Tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo repetitivarepetitiva Tensión inversa máxima | Tj=25℃ | ||
| 600 | V | |||
| IGM | Corriente de pico de compuerta | tp=20us | 2 | A |
| PGM | pico compuerta potencia | 5 | W | |
| PG(AV) | Disipación media de potencia de compuerta | por encima de cualquier 20 ms período | 0.5 | W |
| Tstg | Almacenamiento unión temperatura rango | - 40 a +150 | ℃ | |
| Tj | Funcionamiento unión temperatura rango | 125 | ℃ | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condición de prueba | Cuadrante | Valor | Unidad | ||
| MÍN | TYP | MAX | ||||
| T2+ G+ | 5 | |||||
| VD= 12 V, IT=0. 1 A, T=25 °C Ver figura 8 | T2+ G- | 5 | ||||
| IGT | T2- G- | 5 | ||||
| T2+ G+ | 10 | |||||
| VD= 12 V, IT=0. 1 A, T=25 °C Ver figura 10 | T2+ G- | 15 | ||||
| IL | T2- G- | 15 | ||||
| IH | VD = 12 V; Tj = 25 ℃ , Ver figura 11 | 10 | mA | |||
| VT | IT=0. 1 A, Tj=25 °C ，Ver figura 9 | 1.3 | 1.6 | |||
| VD= 12 V, IT=0. 1 A, T=25 °C ，Ver figura 7 | 0.7 | 1.5 | ||||
| VGT | VD=400 V, IT=0. 1 A, Tj=125 °C ，Ver figura 11 | 0.25 | 0.4 | V | ||
| ID | VD = 600 V; Tj = 125 °C | 0.1 | 0.5 | mA | ||
Características dinámicas
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
| MÍN | TYP | MAX | |||
| dVD/dt | VDM = 402 V; Tj = 125 °C; forma de onda exponencial | 20 | V/µs | ||
| circuito abierto de puerta | |||||
| VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 1 | A/ms | |||
| dVcom/dt = 20 V/µs; gate open circuito; | |||||
| condición «sin snubber» | |||||
| dIconm/dt | VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 1.5 | A/ms | ||
| dVcom/dt = 10 V/µs; puerta abierta circuit | |||||
| VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 4.5 | A/ms | |||
| dVcom/dt = 1 V/µs; puerta abierta circuit | |||||
| tgt | ITM = 20 A; VD = 600 V; IG = 0. 1 A; | 2 | |||
| dIG/dt = 5 A/µs | us | ||||
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
