YZPST-S3530

MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Rango de temperatura de almacenamiento de la unión

Tstg

-40 ~ 150

℃

Rango de temperatura de unión de funcionamiento

Tj

-40~ 125

℃

Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T = 25℃)

VDRM

1600

V

Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃)

VRRM

1600

V

Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva

VDSM

VDRM +100

V

Tensión inversa máxima no repetitiva

VRSM

VRRM +100

V

Corriente eficaz en estado de conducción (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción

(ángulo de conducción de 180°, F = 50 Hz)

ITSM

300

A

Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°)

IT(AV)

23

A

Valor I2t para fusible (tp=10 ms)

I2t

450

A2 S

Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción

(I = 2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Corriente máxima de compuerta

IGM

4

A

Disipación media de potencia de compuerta

PG(AV)

1

W

Resistencias térmicas

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

Rth(j-c)

Unión a carcasa (CC)

2.5

℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ salvo que se especifique lo contrario)

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

IGT

V = 12 V R = 140 Ω

MÁX.

30

mA

VGT

MÁX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj= 125℃

MÍN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MÁX.

160

mA

IH

IT=500 mA

MÁX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃

MÍN.

500

V/μs