ABSOLUTO MÁXIMO CALIFICACIONES

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Rango de temperatura de la unión de almacenamiento

Tstg

-40 ~ 150

℃

Rango de temperatura de la unión de operación

Tj

-40~125

℃

Voltaje repetitivo pico de estado apagado (T =25℃)

VDRM

1600

V

Tensión inversa pico repetitiva (T =25℃)

VRRM

1600

V

Tensión de pico no repetitiva de apagado del estado inverso

VDSM

VDRM +100

V

Tensión inversa pico no repetitiva

VRSM

VRRM +100

V

Corriente eficaz en estado activo (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Corriente pico de sobretensión no repetitiva en estado activo

(Ángulo de conducción de 180°, F=50Hz)

ITSM

300

A

Corriente media en estado activo (ángulo de conducción de 180°)

IT(AV)

23

A

Valor I2t para fusión (tp=10ms)

I2t

450

A2 S

Tasa crítica de aumento de corriente en estado activo

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Corriente pico de compuerta

IGM

4

A

Disipación promedio de potencia en la compuerta

PG(AV)

1

W

Resistencias térmicas

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

Rth(j-c)

Unión a caja (DC)

2.5

℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

IGT

V = 12V R = 140Ω

MÁX.

30

mA

VGT

MÁX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃

MIN.

0.2

V

IL

IG=1.2IGT

MÁX.

160

mA

IH

IT=500mA

MÁX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Puerta Abierta Tj=125℃

MIN.

500

V/μs