





YZPST-100HF120TK-G1
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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Módulo IGBT YZPST-100HF120TK-G1
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito autolimitada
CHIP IGBT (tecnología Trench + Field Stop)
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo, conmutación rápida, bajas pérdidas de conmutación
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
APLICACIONES
Aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Convertidores de soldadura
Control de movimiento/servo
Sistemas UPS

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS TC=25°C salvo que se indique lo contrario
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Valores | Unidad |
IGBT | ||||
VCES | Tensión colector-emisor | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES | Tensión puerta-emisor |
| ±30 | V |
IC |
Corriente continua de colector | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
ICM | Corriente de colector de pico repetitiva | tp=1 ms | 200 | A |
Ptot | Disipación de potencia por IGBT | 694 | W | |
Diodo | ||||
VRRM | Tensión inversa repetitiva | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
Corriente media directa | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM | Corriente directa de pico repetitiva | tp=1 ms | 200 | A |
MÓDULO CARACTERÍSTICASTC=25°C salvo indicación contraria especifique
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
TVj máx. | Temperatura máxima de unión |
| 150 | °C | ||
TVj op | Temperatura de funcionamiento |
| -40 |
| 150 | °C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento |
| -40 | 125 | °C | |
Vaisl | Tensión de prueba de aislamiento | CA, t=1 min | 3000 | V | ||
Par de apriete | A carcasa | M6 recomendado | 3 |
| 5 | N·m |
Par de apriete | A terminal | M5 recomendado | 2.5 |
| 5 | N·m |
Peso |
|
|
| 176 |
| g |
DIAGRAMA DE CIRCUITOS

CONTORNO DEL PAQUETE

Para más información sobre YZPST-100HF120TK-G1descargue el archivo PDF anterior llamado " YZPST-100HF120TK-G1 "
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