YZPST-RGN100C066

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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.

CENTRO DE DOCUMENTACIÓN

P/N: YZPST-RGN100C066

FET Super-GaN de 100 V

100 V, 230 A, 3.FET Super-GaN de 2 mΩ en WLCSP 3.5x2. 13

Características

Tecnología HEMT GaN sobre silicio de modo de enriquecimiento

Carga de puerta muy baja

Resistencia en conducción ultrabaja

Tamaño de encapsulado muy pequeño

Carga de recuperación inversa nula

Aplicaciones

Rectificación síncrona

Audio de clase D

Convertidor CC-CC de alta frecuencia

Estación base de comunicaciones

Controlador de motor

pines información

Rendimiento clave parámetros a Tj = 25 °C

Máximo valores nominales a Tj = 25 °C, salvo que se especifique lo contrario.

SÍMBOLO	PARÁMETRO	MAX	UNIDAD
VDS	Tensión drenaje-fuente (continua)	100	V
ID	Corriente continua	60	A
ID	Pulsada (25 °C, TPULSE = 300 µs)	230	A
VGS	Tensión puerta-fuente	6	V
VGS	Tensión puerta-fuente	-4	V
TJ	Temperatura de funcionamiento	-40 a 150	˚C
TSTG	Temperatura de almacenamiento	-40 a 150	˚C

Características térmicas

SÍMBOLO	PARÁMETRO	TYP	UNIDAD
RθJC	Resistencia térmica, unión a encapsulado	0.3	°C/W
RθJB	Resistencia térmica, unión a placa	1.5	°C/W
RθJA	Resistencia térmica, unión a ambiente 1	33	°C/W

Eléctricas inversa a Tj = 25 °C, salvo que se especifique lo contrario.Características estáticas

SÍMBOLO	PARÁMETRO	MÍN	TYP	MAX	UNIDAD	CONDICIONES DE PRUEBA
BVDSS	Tensión drenaje-fuente	100	-	-	V	VGS = 0 V, ID = 400 µA
IDSS	Fuga drenaje-fuente	-	4	28	µA	VGS = 0 V, VDS = 80 V
IGSS	Fuga directa de puerta a fuente (25 °C)	-	1.2	23	µA	VGS = 5 V
	Fuga directa de puerta a fuente (125 °C)		0.1	2	mA	VGS = 5 V
	Fuga inversa de puerta a fuente	-	0.1	0.5	µA	VGS = -4 V
VGS(TH)	Tensión umbral de compuerta	0.8	1.1	2.5	V	VDS = VGS, ID = 9 mA
RDS(on)	Resistencia en estado de conducción drenaje-fuente	-	2.5	3.2	mΩ	VGS = 5 V, ID = 25 A
VSD	Tensión directa fuente-drenaje	-	1.5	-	V	IS = 0.5 A, VGS = 0 V

Características dinámicas

SÍMBOLO	PARÁMETRO	MÍN	TYP	MAX	UNIDAD	CONDICIONES DE PRUEBA
CISS	Capacitancia de entrada	-	1000	-	pF	VGS = 0 V, VDS = 50 V
COSS	Capacitancia de salida	-	460	-		VGS = 0 V, VDS = 50 V
CRSS	Capacitancia de transferencia inversa	-	8.2	-		VGS = 0 V, VDS = 50 V
COSS(ER)	COSS relacionada con la energía	-	700	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V
COSS(TR)	COSS relacionada con el tiempo	-	1020	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V
RG	Resistencia de puerta	-	2.2	-	Ω	f = 5 MHz, drenaje abierto
QG	Carga total de puerta 1	-	9.2	12	nC	VGS = 5 V, VDS = 50 V, ID = 25 A
QGS	Carga de puerta a fuente	-	1.9	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QGD	Carga de puerta a drenaje	-	1.7	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QG(TH)	Carga de puerta en el umbral	-	1.1	-		VDS = 0 V a 50 V, ID = 25 A
QOSS	Carga de salida	-	50	-		VGS = 0 V, VDS = 0 V a 50 V