YZPST-G15N65T
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Temperatura máxima de unión 150°C
Alta tensión de ruptura de hasta 650 V para mejorar la fiabilidad
Clasificado para cortocircuito
Tensión de saturación muy baja:
VCE(SAT) = 1,65 V (típ.) a IC = 15 A
Formas de onda de apagado de corriente suave
VCE | 650 | V |
IC | 15 | A |
VCE(SAT) IC=15A | 1.65 | V |
Aplicaciones de conmutación suave
Aire acondicionado
Inversor de accionamiento de motor
Producto | Encapsulado | Embalaje |
YZPST-15N65T1 | TO-220 | Tubo |
YZPST-15N65T1 | TO-263 | Tubo |
YZPST-15N65T1 | TO-220F | Tubo |
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Tensión de ruptura colector-emisor | VCE | 650 | V |
Corriente continua de colector, limitada por Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IC |
30
15
| A |
Corriente directa del diodo, limitada por Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IF |
30
15
| A |
Tensión continua puerta-emisor | VGE | ±20 | V |
Tensión transitoria puerta-emisor | VGE | ±30 | V |
Área segura de operación al apagado VCE ≤650V, Tj ≤ 150°C | - | 60 | A |
Corriente de colector en pulso, VGE=15V, tp limitada por Tjmax | ICM | 45 | A |
Tiempo de soportabilidad a cortocircuito, VGE= 15V, VCE≤ 400V | Tsc | 5 | μs |
Disipación de potencia TO-220F, Tj=25℃ | Ptot | 27 | W |
Disipación de potencia TO-220,TO-263, Tj=25℃ | Ptot | 105 | W |
Temperatura de unión en funcionamiento | Tj | -40...+150 | °C |
Temperatura de almacenamiento | Ts | -55...+150 | °C |
Temperatura de soldadura, soldadura por ola a 1,6 mm (0,063 pulg.) de la carcasa durante 10 s | - | 260 | °C |
Resistencia térmica
Parámetro | Símbolo | TO-220,TO-263 | TO-220F | Unidad |
Resistencia térmica del IGBT, unión - carcasa | Rθ(j-c) | 1.2 | 4.9 | K/W |
Resistencia térmica del diodo, unión - carcasa | Rθ(j-c) | 2.38 | 5.8 | K/W |
Resistencia térmica, unión - ambiente | Rθ(j-a) | 62.5 | K/W | |
Características eléctricas del IGBT（Tj= 25℃ salvo que se especifique lo contrario）
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidades |
Características estáticas (probadas en obleas) | ||||||
BVCES | Ruptura colector-emisor Tensión | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | - | - | V |
VCE(SAT) | Saturación colector-emisor Tensión | IC = 15A, VGE = 15V | - | 1.65 | 1.95 | V |
VGE(th) | Tensión umbral puerta-emisor | VGE = VCE, IC = 250μA | 4.1 | 5.0 | 5.7 | V |
ICES | Corriente de corte del colector | VCE = 650V, VGE = 0V | - | - | 25 | μA |
IGES | Corriente de fuga G-E | VGE = ±20V, VCE = 0V | - | - | ±200 | nA |
gfs | Transconductancia | VCE=20V, IC=15A | - | 10 | - | S |
Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad |
Dinámico | ||||||
Capacitancia de entrada | Cies | VCE = 25V, VGE = 0V, | - | 990 | - | pF |
Capacitancia de salida | Coes | - | 56 | - | ||
Capacitancia de transferencia inversa | Cres | - | 30 | - | ||
Carga de compuerta | QG | VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V | - | 92 | - | nC |
Corriente de colector en cortocircuito | IC（SC） | VGE=15V,tSC≤5us VCC=400V, | - | 98 | - | A |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
Dinámico | ||||||
Tiempo de retardo de encendido | td(on) | Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A, VGE = 0/15V, Rg=12Ω | - | 15 | - | ns |
Tiempo de subida | tr | - | 25 | - | ns | |
Tiempo de retardo de apagado | td(off) | - | 60 | - | ns | |
Tiempo de caída | tf | - | 46 | - | ns | |
Energía de encendido | Eon | - | 0.75 | - | mJ | |
Energía de apagado | Eoff | - | 0.1 | - | mJ | |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad |
Dinámico | ||||||
Tensión directa del diodo | VFM | IF = 15A | - | 1.7 | - | V |
Tiempo de recuperación inversa | Trr | IF= 15A VR = 300V, | - | 50 | - | ns |
Corriente de recuperación inversa | Irr | - | 4 | - | A | |
Carga de recuperación inversa | Qrr | - | 83 | - | nC | |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
