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YZPST-P015PJE120AT1B1
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Inversor IGBT
Máximo nominal Valores
Símbolo | Descripción | Condiciones | Valores | Unidad |
VcEs | Tensión colector-emisor | TU=25℃ | 1200 | V |
VGES | Tensión máxima de pico puerta-emisor | T=25℃ | ±20 | V |
Ic | Continuo CC Colector Corriente | Tc=100℃ | 15 | A |
cRM | Pico repetitivo Colector Corriente | tp=1ms | 30 | A |
Ptot | Disipación total de potencia | Tc=25℃,Tvjmax=175℃ | 130 | W |
Valores característicos
Símbolo |
Descripción |
Condiciones | Valores |
Unidad | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
VcE(sat) | Saturación colector-emisor Voltaje | VGE=15V,Ic=15A,TU=25℃ | --- | 2.12 | --- | V |
VGE=15V,Ic=15A,TU=125℃ | --- | 2.48 | -- | V | ||
VGEth) | Umbral de puerta Voltaje | VGE=VcE,Ic=0.48mA |
| 5.6 |
| V |
IcES | Corte colector-emisor Corriente | VcE=1200V,VGE=0V | --- | --- | 1 | mA |
GES | Corriente de fuga puerta-emisor Corriente | VGE=20V,VcE=0V | --- | --- | 100 | nA |
Cies | Entrada Capacitancia |
VcE=25V,VGE=0V,f=1MHz | --- | 990 | --- | pF |
Coes | Salida Capacitancia | --- | 85 | --- | pF | |
Cres | Transferencia inversa Capacitancia | --- | 36 | --- | pF | |
ta(on) | Retardo de encendido Tiempo |
VcE=600V VGE=±15V Ic=15A R₆=39Ω Inductivo carga T₄=25℃ | --- | 38 | --- | ns |
t. | Encendido Ascenso Tiempo | --- | 25 | --- | ns | |
tdof) | Retardo de apagado Tiempo | --- | 150 | --- | ns | |
t | Tiempo de caída al apagado | --- | 180 | --- | ns | |
Eon | Encendido Pérdida de conmutación | --- | 1.11 | --- | mJ | |
Eof | Pérdida de conmutación en el apagado lsc | --- | 0.95 | --- | mJ | |
lsc | Cortocircuito datos | VGE≤15V,Vcc=800V tp≤10μs,TU=150℃ |
--- | 62 |
--- | A |
RithJC | TResistencia térmica, unión a carcasae | Por IGBT | --- | --- | 1.15 | K/W |
TvJop | Temperatura virtual de uniónatura | Durante la conmutación | -40 | --- | 150 | ℃ |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
