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YZPST-D471N900
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-D471N900 diodo de 9000 V
RECTIFICADOR ESTÁNDAR DE ALTA POTENCIA DE USO GENERAL
Características:
Estructura totalmente difundida
Alta capacidad de sobretensión
Recuperación inversa suave
Encapsulado cerámico hermético y robusto
Dispositivo ensamblado por presión
Aplicaciones típicas:
Rectificador para aplicaciones de accionamiento
Convertidores de media tensión
Aplicaciones de potencia pulsada
Aplicaciones crowbar
CARACTERÍSTICAS Y VALORES ELÉCTRICOS
VRRM (1) | VRSM (1) |
9000 | 9100 |
VRRM = tensión inversa máxima repetitiva
VRSM = tensión inversa máxima no repetitiva (2
Pico pico inversa de fuga | IRRM | 10 mA 50 mA |
Conducción - en estado de conducción
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Valor medio máximo en conducción current | IF(AV)M |
| 550 |
| A | Onda sinusoidal, 180oconducción,Tc100oC |
Valor RMS de la corriente en estado de conducción | IF(RMS)M |
| 860 |
| A | Valor nominal Tc100oC |
Pico uno sobretensión de ciclo (no repetitiva) current | IFSM |
| 11 |
| kA | Tj=175°C, VR=0,8VRRM, tp=10 ms |
I t cuadrada | I2t |
| 605 |
| kA2s | 10 mseg |
Tensión máxima en conducción | VF |
| 3.20 |
| V | IF = 1200 A; Tj =160 oC |
tensión umbral | VF0 |
| 1.04 |
| V |
|
pendiente resistencia | rT |
| 1.80 |
| mΩ |
|
Recuperación inversa Corriente de recuperación (4) | IRM(REC) |
| - |
| A | IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/μs, Tj = 150 oC |
Recuperación inversa Carga de recuperación (4) | Qrr |
| - | - | μC |
|
Recuperación inversa Tiempo de recuperación (4) | tRR |
| - |
| μs |
TÉRMICAS Y CARACTERÍSTICAS MECÁNICAS
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Temperatura de funcionamiento | Tj | -40 | +160 |
| oC |
|
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | +160 |
| oC |
|
Resistencia térmica - unión a case | RΘ (j-c) |
| 31.5 |
| K/KW | Doble cara refrigeración |
Resistencia térmica - case a disipador | RΘ (c-s) |
| 6 |
| K/K/W | Doble cara refrigeración |
Resistencia térmica - unión a disipador | RΘ (j-s) |
| - |
| K/kW | Doble cara refrigeración |
Fuerza de montaje | P | 10 | 16 | - | kN |
|
Peso | W |
|
| 250 | g | aproximadamente |
CONTORNO DE LA CARCASA Y DIMENSIONES
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
