YZPST-40HF(R)120
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Conducción directa
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Tensión inversa máxima repetitiva | VRRM |
|
| 1200 | V |
|
Tensión inversa de pico no repetitiva | VRSM |
|
| 1300 | V |
|
Corriente directa media máx. | IF(AV) |
|
| 40 | A | Onda sinusoidal, 180oconducción, Tc=140oC |
Corriente máxima RMS en directa | IF(RMS) |
|
| 62 | A | Valor nominal |
Corriente máxima de sobretensión directa, no repetitiva, de un ciclo | IFSM |
|
| 570 | A | 10,0 mseg (50 Hz), semionda sinusoidal, Tj = 190 oC, VRM = 0,6 VRRM |
I máximo2t para fusión | I2t |
|
| 1.6 | kA2s | |
Caída máx. de tensión en directa | VFM |
|
| 1.30 | V | ITM = 125A; Tc=25oC |
Tensión de umbral | VF0 |
|
| 0.65 | V |
|
Resistencia de pendiente | rf |
|
| 4.29 | mΩ |
Especificaciones térmicas y mecánicas
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Temperatura de funcionamiento | Tj | -40 | +190 |
| oC |
|
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | +190 |
| oC |
|
Carga de recuperación inversa | Qrr |
|
| - | μc |
|
Resistencia térmica: unión a encapsulado | RQ (j-c) |
| 0.95 |
| K/W |
|
Resistencia térmica - carcasa a disipador | RQ (c-s) |
| 0.25 |
| K/W |
|
Fuerza de montaje | P |
|
| 3.4 | Nm | ± 10% |
Peso | W | - | - | 17 | g | aproximadamente |
Estilo de la carcasa |
|
|
| DO-5 |
| Ver tabla de contornos |
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