YZPST-95HF80

Parámetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condiciones

Tensión inversa máxima repetitiva

V_RRM

800

V

T_j = 150 ^oC

Tensión inversa de pico no repetitiva

V_RSM

960

V

T_j = 150 ^oC

Corriente directa media máx.

I_F(AV)

95

A

Onda sinusoidal, 180^oconducción, T_c=140^oC

Corriente máxima RMS en directa

I_F(Eficaz)

149

A

Valor nominal

Máx. pico, de un ciclo, en directa,

corriente de sobrecarga no repetitiva

I_FSM

2000

A

10,0 ms (50 Hz),media senoidalde onda,

T_j = 180 ^oC, V_RM = 0,6 V_RRM

I máximo²t para fusión

I²t

20

kA²s

Caída máx. de tensión en directa

V_FM

1.40

V

I_TM = 267A;T_c=25^oC

Tensión de umbral

V_F0

0.73

V

Sresistencia de pendiente

r_f

3.0

mΩ

Parámetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condiciones

Temperatura de funcionamiento

T_j

-55

+180

^oC

Temperatura de almacenamiento

T_stg

-55

+180

^oC

Carga de recuperación inversa

Q_rr

-

μc

Resistencia térmica: unión a encapsulado

R_{Q (j-c)}

-

-

0.27

K/W

Resistencia térmica: encapsulado adisipadordisipador

R_{Q (c-s)}

-

-

0.25

K/W

Fuerza de montaje

P

3.4

Nm

± 10%

Peso

W

-

-

16

g

aproximadamente

Estilo de la carcasa

DO-5

Ver tabla de contornos