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YZPST-RURG80100( YZPST-RA75U120H)
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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DIODO DE RECUPERACIÓN RÁPIDA
P/N: YZPST-RA75U120H
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
IF(AV) | 75 A |
VRRM | 1200 V |
Tj(max) | 150℃ |
VF(típ.) | 2,2 V |
trr（típ.） | 50 ns |
APLICACIONES
Diodo snubber
Fuente de alimentación conmutada | UPS
Diodo antiparalelo para dispositivos de conmutación de alta frecuencia
CARACTERÍSTICAS
Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
Alta fiabilidad
Producto RoHS
MÁXIMOS VALORESNOMINALES (Tc=25℃)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
Pico repetitivo tensión inversa | VRRM | 1200 | V | |
Promedio corriente directa | TB CB100℃ (TO-247-2L) |
IF(AV) |
75 |
A |
Corriente máxima de un ciclo Sobretensión Directa (no repetitiva) t=10 ms |
IFSM |
420 |
A | |
Temperatura de unión | Tj | -50~+150 | ℃ | |
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -50~+150 | ℃ | |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tc=25℃ salvo indicación contraria especifique)
Parámetro | Condiciones de prueba | Valor(mín.) | Valor(típ.) | Valor(máx.) | Unidad | |
VRRM | IR =50μA | 1200 |
|
| V | |
IR | Tj =25℃ | VR=VRRM |
|
| 200 | μA |
Tj =125℃ |
|
| 1 | mA | ||
VF | Tj =25℃ | IF=75 A |
| 2.2 | 3.2 | V |
Tj =125℃ |
| 1.8 | 2.8 | V | ||
trr | IF=1 A, VR=30 V, diF/dt=-200 A/μs |
| 50 | 90 | ns | |
trr | IF=60 A, VR=840 V, diF/dt=-400 A/μs |
| 279 |
| ns | |
Irr |
| 29.8 |
| A | ||
TO-247-2L
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
