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YZPST-M1A045170L
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N: YZPST-M1A045170L
MOSFET de potencia de carburo de silicio
(Modo de enriquecimiento de canal N)
Características
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Fácil de conectar en paralelo y sencillo de excitar
Resistente al latch-up
Sin halógenos, conforme a RoHS
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Menores requisitos de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Inversores solares
Fuentes de alimentación conmutadas
Convertidores CC/CC de alta tensión
Accionamiento de motores
Parte Número | Encapsulado | Marcado |
M1A045170L | TO-247-4L | M1A045170L |
Máximo Clasificaciones (Tc = 25°C salvo que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VDSmax | Tensión drenador-fuente | 1700 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
| VGSmáx | Tensión puerta-fuente | -0.4 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Tensión puerta-fuente | -0.25 | V | Valores de funcionamiento recomendados | |
| ID | Corriente continua de drenaje | 85 | A | VGS = 20 V, TC = 25˚C | |
| 55 | VGS = 20 V, TC = 100˚C | ||||
| ID(pulso) | Corriente de drenaje en pulsos | 160 | A | Ancho de pulso tP limitado por Tjmax | |
| PD | Disipación de potencia | 520 | W | TC = 25˚C, TJ = 150℃ | |
| TJ, Tstg | Temperatura de unión y de almacenamiento en funcionamiento | -55 a 175 | ℃ | ||
| TL | Temperatura de soldadura | 260 | ℃ | 1,6 mm (0,063”) desde la carcasa durante 10 s | |
| Md | Par de montaje | 1 | Nn | Tornillo M3 o 6-32 | |
| 8.8 | lbf-in |
Características eléctricasa(Tc = 25°C salvo indicación contraria especificado)
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota | |
| V(BR)DSS | Drenaje fuente-drenaje | 1700 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |||
| Tensión de ruptura | ||||||||
| 2 | 2.6 | 4 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA | ||||
| VGS(th) | Tensión umbral de puerta | 1.9 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA, TJ = 150°C | ||||
| IDSS | Corriente de drenaje con tensión de puerta cero | 2 | 100 | μA | VDS = 1700 V, VGS = 0 V | |||
| IGSS | Fuga puerta-fuente | 2 | uA | VGS = 20 V, VDS = 0 V | ||||
| Corriente | ||||||||
| Drenador-fuente | 34 | 60 | mΩ | VGS = 20 V, ID = 50 A | ||||
| RDSON | Resistencia en estado de conducción | 66 | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ = 150°C | |||||
| gfs | Transconductancia | 16 | VGS = 20 V, ID = 50 A | |||||
| 19 | S | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ = 150°C | ||||||
| C | Capacitancia de entrada | 4078 | ||||||
| oss | Capacitancia de salida | 167 | ||||||
| rss | Capacitancia inversa | 39 | pF | VDS = 1000 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz | ||||
| Eoss | Energía almacenada en Coss | 203 | μJ | |||||
| Eon | Energía de conmutación al encendido | 1.9 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A, Rg(ext) = 2,5 Ω, | |||||
| Eoff | Energía de conmutación al apagado | 0.3 | mJ | TJ = 150 °C | ||||
| tdon | Tiempo de retardo al encendido | 21 | ||||||
| tr | Tiempo de subida | 46 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A, Rg(ext) = 2,5 Ω | |||||
| tdoff | Tiempo de retardo al apagado | 50 | ||||||
| tf | Tiempo de caída | 19 | ns | |||||
| Rgint | Resistencia interna de puerta | 2.6 | VAC = 25 mV, f = 1 MHz | |||||
| Qgs | Carga puerta-fuente | 44 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50 A | |||||
| Qgd | Carga puerta-drenador | 84 | ||||||
| Qg | Carga total de compuerta | 248 | nC |
Características eléctricass (Tc = 25 °C salvo que se especificado)
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VSD | Diodo Tensión directa | 6.1 | - | V | VGS = -5 V, ISD = 25 A | ||
| 5.2 | VGS = -5 V, ISD = 25 A,TJ =150°C | ||||||
| I | Continuo Diodo Forwaa Corriente | 75 | A | VGS = -5 V,Tc=25°C | |||
| S | |||||||
| trr | Recuperación inversa Tiempo de recuperación | 126 | ns | VR= 1200 V, VGS = -5 V, ID = 50A, di/dt = 1400 A/μS,, TJ=150°C | |||
| Qrr | Recuperación inversa Carga de recuperación | 1360 | nC | ||||
| Irrm | repetitivo Recuperación inversa Tiempo Corriente | 19 | A |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
