YZPST-RU50 AKA U1620G

Parámetro

Símbolo

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Tensión inversa máxima repetitiva de pico

VRRM

100

150

200

400

600

V

Tensión inversa de pico de trabajo

VRW M

70

105

140

280

420

V

Tensión de bloqueo en CC

VR(DC)

100

150

200

400

600

V

Corriente directa rectificada media por rama

Dispositivo total                                                            Dispositivo total

IF(AV)

8

16

A

Corriente directa rectificada pico por rama de diodo

IFM

16

A

Corriente de sobretensión máxima no repetitiva (sobretensión aplicada en condiciones de carga nominal, media onda, monofásica, 60 Hz)

IFSM

180

A

Temperatura de unión de operación y temperatura de almacenamiento

TJ, Tstg

1. Ánodo  2. Cátodo    3. Ánodo  -55 a +150

C

Resistencia térmica máxima, unión a encapsulado (por rama)

R θJC

3.0

2.0

C/

W

Parámetro

Símbolo

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Tensión directa (Nota 1) (IF = 8.0 A, TC = 25°C)

VF

1.0

1.3

1.7

V

Corriente inversa instantánea máxima (Nota 1)

(Tensión DC nominal, TC = 150 °C)

(Tensión CC nominal, TC = 25°C)

IR

250

10

500

10

μA

Tiempo de recuperación inversa máximo

(IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC = 0.25 A)

TRR

35

35

ns