YZPST-400DK100
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
CARACTERÍSTICAS
Funcionamiento con Tj de 175 ℃
Módulo con toma central
Baja caída de tensión directa
Funcionamiento a alta frecuencia
Anillo de guarda para mayor robustez y fiabilidad a largo plazo
Sin plomo (Pb)
Diseñado y calificado para uso industrial
APLICACIONES TÍPICAS
Fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente
Fuentes de alimentación para galvanoplastia
Sistema UPS
Convertidores
Rueda libre
Soldadoras
Protección contra inversión de polaridad de la batería
TENSIONES NOMINALES | |||
PARÁMETRO | SÍMBOLO | JDS400DK100 | UNIDAD |
Tensión inversa máxima en CC | VR | 100 |
V |
Tensión inversa máxima de pico de trabajo | VRWM | 100 | |
PRINCIPALES VALORES Y CARACTERÍSTICAS | |||
SÍMBOLO | CARACTERÍSTICAS | VALORES | UNIDAD |
IF(AV) | Forma de onda rectangular | 400 | A |
VRRM |
| 100 | V |
IFSM | Tpsenoidal de 5 µs | 22000 | A |
VF | 200 ApicoTJ=125℃(por rama) | 0.70 | V |
TJ | Rango | -55 a 175 | ℃ |
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS | |||||
PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | VALORES | UNIDAD | |
Corriente media máxima directa por terminal
Corriente por dispositivo |
IF(AV) |
ciclo de trabajo del 50 % a T = 142 °C, forma de onda rectangular | 200 |
A | |
400 | |||||
Corriente de sobretensión máxima de un ciclo no repetitiva por rama |
IFSM | senoidal de 5 µs o pulso rect. de 3 µse | Tras cualquier condición de carga nominal y con la nominal VRRMAplicado | 22000 |
A |
senoidal de 10 ms o pulso rect. de 6 ms | 2750 | ||||
Energía de avalancha no repetitiva por rama | EAS | TJ=25℃,IAS=13A,L=0.2mH | 16.5 | mJ | |
Corriente de avalancha repetitiva por rama |
IAR | Corriente decreciendo linealmente hasta cero en 1 µs Frecuencia limitada por TJ máximo VA=1.5xV típico |
1 |
A | |
ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS | |||||
PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | VALORES | UNIDAD | |
Caída máxima de tensión directa por rama |
VF(1) M | 200 A |
TJ=25℃ | 0.8 |
V |
400 A | 0.95 | ||||
200 A |
TJ=125℃ | 0.70 | |||
400 A | 0.85 | ||||
Corriente máxima de fuga inversa por rama |
IRM(1) | TJ=25℃ |
VR= V nominalR | 2.5 |
mA |
TJ=125℃ | 40 | ||||
Capacitancia máxima de unión por rama | CT | VR = 5 VCC (rango de señal de prueba de 100 kHz a 1 MHz) 25 °C | 4150 | pF | |
Inductancia serie típica por rama | LS | Desde la parte superior del orificio del terminal hasta el plano de montaje | 6.0 | nH | |
Velocidad máxima de variación de la tensión | dV/dt | V nominalR | 10000 | V/μs | |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
