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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-RD060120H
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Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
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Diodo Schottky SiC de 1200 V
YZPST-RD060120H
Características
Tensión de recuperación directa cero
Corriente de recuperación inversa cero
Excelente capacidad de corriente de sobretensión
Conmutación independiente de la temperatura
Coeficiente de temperatura positivo en VF
Funcionamiento a alta frecuencia
Ventajas
Sustituye rectificadores bipolares por unipolares
Prácticamente sin pérdidas de conmutación
Alta eficiencia
Reducción de los requisitos del disipador térmico
Dispositivos en paralelo sin fuga térmica
Aplicación
Dispositivos en paralelo sin fuga térmica
Corrección del factor de potencia
Inversores CC-CA
Inversores CC-CC
Parámetro | Valor | Unidad |
VRRM | 1200 | V |
IF（TC =145℃) | 60 | A |
QC | 306 | nC |
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad |
Pico repetitivo de tensión inversa | VRRM |
| 1200 | V |
Corriente directa | IF | TC =25℃ TC =145℃ | 155 60 | A |
No repetitivo Sobrge Corriente | IFSM | TC =25°C, tp =10 ms, Onda senoidal de media semionda | 450 | A |
Potencia Disipación | Ptot | TC =25℃, Tj =175℃ | 535 | W |
Temperatura de funcionamiento y Almacenamiento Temperatura | Tj, Tstg |
| -55 a +175 | ℃ |
TO-247-2L Encapsulado Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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