YZPST-STW20NM60
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Características
Alta robustez
Bajo RDS(ON) (típ. 0,22 Ω) a VGS=10 V
Baja carga de compuerta (típ. 84 nC)
Capacidad dv/dt mejorada
100 % probado contra avalancha
Aplicaciones: UPS, carga, alimentación de PC, inversor
Este MOSFET de potencia se fabrica con la tecnología avanzada de Promising Chip.
Esta tecnología permite que el MOSFET de potencia ofrezca mejores características, entre ellas un tiempo de conmutación rápido, baja resistencia en conducción, baja carga de compuerta y, especialmente, excelentes características frente a avalancha.
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VDSS | Tensión drenador-fuente | 600 | V |
ID | Corriente continua de drenador (@Tc=25 ℃) | 20* | A |
Corriente continua de drenador (@Tc=100 ℃) | 12* | A | |
IDM | Corriente de drenador pulsada | 78 | A |
VGS | Tensión compuerta-fuente | ±30 | V |
EAS | Energía de avalancha de un solo pulso | 1284 | mJ |
EAR | Energía de avalancha pulsada repetitiva | 97 | mJ |
dv/dt | dv/dt de recuperación pico del diodo | 5 | V/ns |
PD | Disipación total de potencia (@Tc=25 ℃) | 42.3 | W |
Factor de reducción por encima de 25 ℃ | 0.32 | W/℃ | |
TSTG,TJ | Temperatura de la unión en operación y temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
TL | Temperatura máxima del terminal para soldadura, a 1/8 del encapsulado durante 5 segundos | 300 | ℃ |
*La corriente de drenaje está limitada por la temperatura de la unión Características térmicas:
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
Rthjc | Resistencia térmica, unión a encapsulado | 3.1 | ℃/W |
Rthja | Resistencia térmica, unión a ambiente | 49 | ℃/W |
Características nominales del diodo de la fuente al drenaje:
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
Is | Corriente continua de fuente | Diodo de unión p-n inversa integrada en el MOSFET | 20 | A | ||
ISM | Corriente de fuente en pulsos | 80 | A | |||
VSD | Caída de tensión directa del diodo | IS =20A VGS = 0V | 1.3 | V | ||
trr | Tiempo de recuperación inversa | IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us | 494 | ns | ||
Qrr | Carga de recuperación inversa | 7.3 | µC |
YZPST puede proporcionar la siguiente lista de MOSFET
| Rds(on) mΩ (típ.) @Vgs= | Qg | ||||||||||||
| MPN | Encapsulado | Tipo | VDS (V) | Vgs | Ids | Pd | Vgs(th) | (nC) | Qgs | Qgd | |||
| （Tipo） | (V) | (A) | (W) | máx. (V) | 10V 4.5V 2.5V (4.5 | (nC) | (nC) | ||||||
| 2301 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -3A | 1W | -1V | 64mΩ | 89mΩ | 3.3 | 0.7 | 1.3 | |
| 2302 | SOT23 | N | 20V | ±10 | 2.9A | 1W | 1.2V | 30mΩ | 37mΩ | 4 | 0.65 | 1.2 | |
| 2305 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -4.8A | 1.7W | -1V | 45mΩ | 60mΩ | 7.8 | 1.2 | 1.6 | |
| 3400 | SOT23 | N | 30V | ±12 | 5.8A | 1.4W | 1.4V | 28mΩ | 31mΩ | 45mΩ | 9.5 | 1.5 | 3 |
| 3401 | SOT23 | P | -30V | ±20 | -4.2A | 1.2W | -1.3V | 50mΩ | 64mΩ | 95mΩ | 9.5 | 2 | 3 |
| 10N03 | SOP8 | N | 30V | ±20 | 10A | 2.5W | 3V | 7.5mΩ | 13 | 5.5 | 3.5 | ||
| 20N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 20A | 60W | 3V | 28mΩ | 15 | 2.9 | 3.2 | ||
| 30P03 | SOP8 | P | 30V | ±20 | -30A | 60W | 3V | ||||||
| 50N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 50A | 60W | 3V | 5.9mΩ | 23 | 7 | 4.5 | ||
| 60N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 60A | 46.3W | 1.8 V | 3.3mΩ | 20 | 6 | 2 | ||
| 80N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 80A | 83W | 4.8mΩ | 51 | 14 | 11 | |||
| 100N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 100A | 110W | 3V | 4mΩ | 100 | 25 | 45 | ||
| 60N04 | TO-252 | N | 40V | ±20 | 60A | 65W | 1.9V | 8.5mΩ | 12.5mΩ | 29 | 4.5 | 6.4 | |
| 4606 | SOP-8 | N+P | |||||||||||
| 3N06 | SOT-223 | N | 60V | ±20 | 3A | 1.7W | 1.4V | 105mΩ （MAX） | 125mΩ （MAX） | 6 | 1 | 1.3 | |
| 15P06 | TO-252 | P | |||||||||||
| 20N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 20A | 40W | 3V | 37mΩ | 12 | 4.1 | 4.5 | ||
| 25P06 | TO-252 | P | -60V | ±20 | -25A | 90W | -3.5V | 45mΩ | 46 | 9.5 | 10.5 | ||
| 30N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 30A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 50N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 50A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 110N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 110A | 120W | 2V | 5.2mΩ | 113 | 14 | 54 | ||
| G1002 | TO-92 | N | 100V | ±20 | 2A | 1.1W | 2.5V | 185mΩ | 5.2 | 0.75 | 1.4 | ||
| 5N10 | SOT223 | N | 100V | ±20 | 5A | 3W | 3V | 135mΩ | 16 | 3.2 | 4.7 | ||
| 14N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 14A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 30N10 | SOP8 | N | 100V | ±20 | 30A | 85W | 2.5V | 24mΩ | 39 | 8 | 12 | ||
| 11N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 11A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 12P10 | TO-252 | P | -100V | ±20 | -12A | 40W | -3V | 170mΩ | 25 | 5 | 7 | ||
| 5N20 | TO-252 | N | 200V | ±20 | 5A | 30W | 2.5V | 520mΩ | 12 | 2.5 | 3.8 | ||
| 2N60 | TO-252/251 | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N65 | TO-252 | N | 650V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 4N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 4A | 100W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 4N60 | TO-252 | N | 600V | ±30 | 4A | 33W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 5N60 | TO-220 | N | 600V | ±30 | 5A | 100W | 4V | 2.5Ω | 16 | 3 | 7.2 | ||
| 6N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 6A | 140W | 4V | 1.8Ω | 29 | 7 | 14.5 | ||
| 8N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 8A | 140W | 4V | 1.0Ω | 45 | 6.8 | 18 | ||
| 12N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 12A | 4V | 0.8Ω | 42 | 8.6 | 21 | |||
| IRF640 | TO- | N | 200V | ±30 | 18A | 43W | 4V | 0.14Ω | 40 | 6 | 22 | ||
| IRF740 | TO- | N | 400V | ±30 | 10.5A | 45.5W | 4V | 0.43Ω | 30 | 4 | 15 | ||
| IRF840 | TO- | N | 500V | ±30 | 9A | 45.5W | 4V | 0.65Ω | 30 | 4 | 15 | ||
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
