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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-BT152X-600R
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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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BT152-600R/800R
Triac BT152X-600R de 600 V con estructura de mesa simple en TO-220F
YZPST-BT152X-600R
- Características del producto
Dispositivo unilateral de silicio con estructura de cuatro capas NPNP,
Aislamiento por difusión pasante P+.
Estructura de mesa simple (Single Mesa),
Proceso de pasivación con vidrio en la superficie,
Electrodo metálico trasero (ánodo): Ti-Ni-Ag
Alta capacidad de resistencia a picos de corriente
●Aplicaciones principales
Interruptor de corriente alterna,
Convertidor de alimentación CA/CC,
Control de calefacción eléctrica
Control de velocidad del motor
● Encapsulado
TO-220M1 TO-220F
Características principales (Tj=25℃)
| Símbolo | Valor | Unidad |
| IT (RMS) | 20 | A |
| VDRM VRRM | 600/800 | V |
| IGT | ≤200 | uA |
Valores absolutos (valores límite)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| IT (RMS) | Corriente eficaz en estado de conducción (ángulo de conducción de 180° °ángulo de conducción) | 20 | A |
| IT(AV) | Corriente media en estado de conducción (AV)180 °ángulo de conducción) | 13 | A |
| ITSM | Pico de corriente no repetitiva en estado ON | 200 | A |
| Corriente (tp=10 ms) | |||
| IGM | Corriente pico de compuerta (tp=20us) | 4 | A |
| PGM | Potencia de pico de compuerta | 5 | W |
| PG(AV) | Potencia media de compuerta | 1 | W |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | 110 | ℃ |
| Tj | Funcionamiento unión temperatura | 85 |
Resistencias térmicas
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| TO-220M1 | 2.2 | |||
| Rth (j-c) | Unión a encapsulado | TO-220F | 2.5 | ℃/W |
Características eléctricas (Tj=25℃ unless otherwise stated)
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | |||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=33Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
| VGT | VD=12 V, RL=33Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM, RL=3,3 kΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| IH | IT500 mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | ----- | ----- | 60 | mA | |
| dV/dt | VD67%VDRM, Compuerta abierta, Tj=110℃ | 500 | v/ μs | |||
| ----- | ----- | |||||
| VTM | IT=30 A, tp=380μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| dI/dt | IG=2IGT | 50 | ----- | ----- | A/μs | |
| I2T | Tp=10 ms | ----- | ----- | 200 | A2S | |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IRRM | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Medida del encapsulado
((TO--220F))
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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