YZPST-SS044N10AP
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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MOSFET de potencia Super Gate Trench N de 100 V
P/N: YZPST-SS044N10AP
CARACTERÍSTICAS
MOSFET de potencia Super TrenchFET®
100 % probado en avalancha
Capacidad dv/dt mejorada
APLICACIONES
Interruptor del lado primario
Otras aplicaciones
Sistema de alimentación ininterrumpida
Pedidos del dispositivo Marcado Información de empaquetadode empaquetado | |||
Pedido Número | Encapsulado | Marcado | Embalaje |
SS044N10AP |
TO-220 | YZPST SS044N10AP |
Tubo |
Absoluto Máximo Valores nominalesTC = 25 ºC, salvo que se indiquelo contrario | |||
Parámetro |
Símbolo | Valor |
Unidad |
TO-220 | |||
Tensión drenaje-fuente (VGS= 0 V) | VDSS | 100 | V |
Continuo Corriente de drenadornte | ID | 135 | A |
Pulsada Corriente de drenaje (nota 1) | IDM | 520 | A |
Tensión puerta-fuente | VGSS | ±20 | V |
Simple Avalancha pulsada Energía (nota 2) | EAS | 780 | mJ |
Disipación de potencia (TC = 25ºC) | PD | 208 | W |
Temperatura de juntura de operación y almacenamientoy temperatura de almacenamiento Rango | TJ, Tstg | -55~+150 | ºC |
Precaución: Esfuerzos superiores que a los indicados en de las “Clasificaciones Máximo absolutas” pueden causar daños daños visibles a al permanentes al dispositivo. | |||
Térmica Resistencia | |||
Parámetro |
Símbolo | Valor |
Unidad |
TO-220 | |||
Térmica Resistencia, juntura a carcasa | RthJC | 0.60 | ºC/W |
Térmica Resistencia, unión-ambiente | RthJA | 62.5 | |
EspecificacionesTJ= 25 ºC, salvo que se indique lo contrario | ||||||
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones de prueba | Valor |
Unidad | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
Estática | ||||||
Drenador-fuente Tensión de ruptura | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID= 250µA | 100 | -- | -- | V |
Tensión de puerta cero Corriente de drenaje | IDSS | VHoja de datos =100, VGS= 0V, TJ= 25ºC | -- | -- | 1.0 | μA |
Compuerta-Fuente Fuga | IGSS | VGS= ±20V | -- | -- | ±100 | nA |
Tensión umbral puerta-fuente | VGS(th) | VHoja de datos = 250µA | 2.0 | -- | 4.0 | V |
Resistencia en conducción drenador-fuente (nota 3) | RHoja de datos(on) | VGS= 10V, ID=50A | -- | 3.6 | 4.4 | mΩ |
Dinámica | ||||||
Capacitancia de entrada | Ciss |
VGS = 0V, VHoja de datos = 50V, f = 1.0MHz | -- | 7300 | -- |
pF |
Capacitancia de salida | Coss | -- | 850 | -- | ||
Capacitancia de transferencia inversa | Crss | -- | 25 | -- | ||
Carga total de compuerta Carga | Qg |
VDD = 50V, ID= 20A, VGS= 10V | -- | 114 | -- |
nC |
Carga compuerta-fuente | Qgs | -- | 37 | -- | ||
Carga compuerta-drenador | Qgd | -- | 26 | -- | ||
Encendido Tiempo de retardo | td(on) |
VDD = 50V, ID=50A,VGS= 10V RG =3.0 Ω | -- | 32 | -- |
ns |
Encendido Tiempo de subida | tr | -- | 50 | -- | ||
Tiempo de retardo de apagado | td(apagado) | -- | 83 | -- | ||
Caída en apagado Tiempo | tf | -- | 30 | -- | ||
Drenador-fuente el cuerpo Características del diodocas térmicas | ||||||
Continuo el cuerpo Corriente del diodo | IS |
TC = 25 ºC | -- | -- | 135 |
A |
Pulsada Diodo Corriente directa | ISM | -- | -- | 520 | ||
el cuerpo Tensión del diodo | VSD | TJ= 25 ºC, ISD = 50A, VGS= 0 V | -- | 0.9 | 1.2 | V |
Recuperación inversa Tiempo de recuperación | trr | VGS = 0V,IS = 50A, diF/dt =500A /μs | -- | 75 | -- | ns |
Recuperación inversa Carga de recuperación | Qrr | -- | 160 | -- | nC | |
Notas
- RepetitiveClasificación:Ancho de pulso limitado por temperatura máxima de unión
- VDD = 50V,RG =25 Ω , Inicio TJ= 25 ºC
- Prueba de pulso:Pulsoancho ≤ 300μs, Ciclo de trabajo Ciclo ≤ 1%
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
