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YZPST-M2A016120L
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
MOSFET de potencia SiC de canal N P/N: YZPST-M2A016120L
Características
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Fácil de conectar en paralelo y sencillo de excitar
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Menores requisitos de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Energía renovable
Cargadores de baterías para vehículos eléctricos
Convertidores CC/CC de alta tensión
Fuentes de alimentación conmutadas
Encapsulado
Parte Número | Encapsulado |
M2A016120L | TO-247-4 |
Valores máximos(TC=25℃ unsalvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VDSmax | Tensión drenador-fuente | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmáx | Tensión puerta-fuente | -8/+22 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Tensión puerta-fuente | -4/+18 | V | Valores de funcionamiento recomendados | |
| ID | Corriente continua de drenaje | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Corriente de drenaje pulsada | 250 | A | Ancho de pulso tp limitado por TJmax | |
| PD | Disipación de potencia | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Temperatura de unión y almacenamiento en funcionamiento | -55 a +175 | ℃ |
Características eléctricas(TC=25℃ salvo otroespecífico especificado)
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| V(BR)DSS | Tensión de ruptura drenador-fuente | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensión umbral de compuerta | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23 mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23 mA, TJ=175 ℃ | ||||
| IDSS | Corriente de drenador con tensión de puerta cero | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200 V, VGS=0 V | |
| IGSS+ | Corriente de fuga puerta-fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0 V, VGS=22 V | |
| IGSS- | Corriente de fuga puerta-fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0 V, VGS=-8 V | |
| RDS(on) | Resistencia en estado de conducción drenador-fuente | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18 V, ID=75 A | |
| / | 28 | / | VGS=18 V, ID=75 A, TJ=175 ℃ | ||||
| gfs | Transconductancia | / | 40.5 | / | S | VDS=20 V, ID=75 A | |
| / | 37 | / | VDS=20 V, ID=75 A, TJ=175 ℃ | ||||
| Ciss | Capacitancia de entrada | / | 4300 | / | VGS=0 V | ||
| Coss | Capacitancia de salida | / | 236 | / | pF | VDS=1000 V | |
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energía almacenada en Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25 mV | |
| EON | Energía de conmutación al encender | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800 V, VGS=-4 V/18 V | |
| EOFF | Energía de conmutación al apagar | / | 1.6 | / | ID=40 A, RG(ext)=2,5 Ω, L=100 μH | ||
| td(on) | Tiempo de retardo de encendido | / | 150 | / | |||
| tr | Tiempo de subida | / | 38 | / | VDS=800 V, VGS=-4 V/18 V, ID=40 A RG(ext)=2,5 Ω, RL=20 Ω | ||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Resistencia interna de puerta | / | 2.3 | / | Ω | f=1 MHz, VAC=25 mV | |
| QGS | Carga puerta-fuente | / | 60 | / | VDS=800 V | ||
| QGD | Carga puerta-drenador | / | 44 | / | nC | VGS=-4 V/18 V | |
| QG | Carga total de compuerta | / | 242 | / | ID=40 A |
Encapsulado Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
