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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-BT136
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P/N: Serie YZPST-BT136 TRIAC de 4 A
DESCRIPCIÓN:
Con baja corriente de mantenimiento y de enclavamiento, los triacs de la serie BT136 se recomiendan especialmente para su uso en cargas de potencia de resistencia media y pequeña.
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 4 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.7 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
| Almacenamiento rango de temperatura de unión | Tstg | -40~150 | ℃ | |
| Funcionamiento rango de temperatura de unión | Tj | -40~125 | ℃ | |
| Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V | |
| Pico repetitivo tensión inversa de bloqueobloqueo (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V | |
| Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 4 | A | |
| Sobretensión no repetitiva pico en estado ON corriente | ||||
| (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 25 | A | |
| I2valor t para fusible (tp=10ms) | I2t | 3.1 | A2s | |
| Tasa crítica de aumento de en estado de conducción current (IG=2 × IGT) | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 50 | ||
| dI/dt | Ⅳ | 10 | A/ μs | |
| Pico de compuerta current | IGM | 2 | A |
| Compuerta media potencia disipada | PG(AV) | 0.5 | W |
| Pico de compuerta potencia | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Valor | ||||||
| Condición de prueba | Cuadrante | T | D | E | Unidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 5 | 5 | 10 | ||||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 5 | 10 | 25 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MAX | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MÍN | 0.2 | V | ||
| IH | IT100mA | MAX | 5 | 10 | 20 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ | 8 | 10 | 20 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 12 | 15 | 35 | mA |
| VD=0.66×VDRM Tj=125℃ Apertura de puerta | |||||||
| dV/dt | MÍN | 10 | 20 | 50 | V/ µs | ||
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
| VTM | ITM=5A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.7 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 5 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 0.5 | mA |
TÉRMICAS RESISTENCIAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
| TO-252-4R | 2.8 | |||
| Rth(j-c) | unión a case(CA) | TO-220B (sin aislamiento)/ TO-220C | 2.6 | ℃/W |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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