YZPST-KP1000A6500V
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
ALTA POTENCIA TIRISTOR PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
Características:
. Estructura difusa completa
. Configuración de compuerta de amplificación central
. Tiempo de apagado máximo garantizado
. Capacidad de alto dV/dt
. Dispositivo ensamblado a presión
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
ALTA POTENCIA TIRISTOR PARA FASE CONTROL APLICACIONES
Características:
. Todo Estructura Difundida re
. Centro de Amplificación Ga Configuración de te
. Garantizado Tiempo Máximo de Apagado
. Alto dV/dt Capacidad
. Ensamblado a Presión Devi ce
Bloqueo - Estado de apagado
|
VRRM ( 1) |
V DRM ( 1) |
VRSM ( 1) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = Voltaje inverso pico repetitivo
VDRM = Voltaje de apagado pico repetitivo
VRSM = Voltaje inverso pico no repetitivo (2)
Notas:
Todas las clasificaciones están especificadas para Tj=25 oC a menos que
se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje están especificadas para una forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz/60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 oC.
(2) Ancho de pulso máximo de 10 msec.
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial hasta 80% de VDRM nominal. Compuerta abierta.
Tj = 125 oC.
Tj = 125 oC.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di/dt se establece en
de acuerdo con el Estándar EIA/NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería además del obtenido de un circuito amortiguador, que comprende un condensador de 0.2 μF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el tiristor
bajo prueba.
|
Fuga repetitiva pico inverso y estado de apagado |
IRRM / IDRM |
40 mA 200mA (3) |
|
Tasa crítica de aumento de voltaje |
dV/dt (4) |
1000 V/μs |
Conducción - en estado
| Parámetro | Símbolo | Mín . | Máx . | Típ . | Unidades | Condiciones |
| Valor máximo promedio de estado activo actual | Yo T ( AV ) | 1000 | A | Sinewave , 180 o conducción T C =70 o C | ||
| Valor eficaz en estado de encendido actual | Yo TRMS | 1650 | A | Valor nominal | ||
| Pico uno sobretensión cpstcle | Yo TSM | 18 | kA | 10.0 msec (50 Hz ), sinusoidal wave - shape , 180 o conducción , T j = 125 o C | ||
| (no repetitivo) actual | ||||||
| Yo cuadrado t | Yo 2 t | 1620 | kA 2 s | |||
| Corriente de retención | Yo L | 1500 | mA | V D = 24 V; R L = 12 ohms | ||
| Corriente de retención | Yo H | 500 | mA | V D = 24 V; Yo = 2.5 A | ||
| Pico de voltaje en estado de encendido | V TM | 2.65 | V | Yo TM = 1000A; T vj = 125 ℃ | ||
| Voltaje umbral | V To | 1.24 | V | T vj = 125 ℃ | ||
| Pendiente resistencia | r T | 1.01 | m Ω | T vj = 125 ℃ | ||
| Crítico velocidad de ascenso de encendido estado actual (5, 6) | di / dt | 500 | A/ μs | Conmutación de V DRM < 1500 V, | ||
| no repetitivo | ||||||
| Crítico velocidad de ascenso de encendido estado actual (6) | di / dt | - | A/ μs | Conmutación de V DRM < 3500 V |
Control
|
Parámetro |
Símbolo |
Mín . |
Máx . |
Típ . |
Unidades |
Condiciones |
|
Disipación pico de potencia de compuerta |
PGM |
|
50 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Potencia media de compuerta disipación |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Corriente de compuerta pico |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Corriente de compuerta requerida para disparar todas las unidades |
IGT |
|
400 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V; RL = 3 ohm; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohm; Tj = +25 oC VD = 6 V; RL = 3 ohm; Tj = +125oC |
|
Voltaje de compuerta requerido para disparar todas las unidades |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V; RL = 3 ohm; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohm; Tj = 0-125 oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Pico voltaje negativo |
VGRM |
|
10 |
|
V |
Dinámico
|
Parámetro |
Símbolo |
Mín . |
Máx . |
Típ . |
Unidades |
Condiciones |
|
Tiempo de retardo |
td |
|
- |
|
μs |
ITM = 1000 A; VD = Voltaje directo máximo repetitivo; Pulso de compuerta: VG = 20 V; RG = 20 ohmios; tr = 0.01 μs; tp = 20 μs |
|
Tiempo de apagado con VR = -50 V |
tq |
|
700 |
|
μs |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Reaplicación de dV/dt = 20 V/μs lineal hasta el 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
Carga de recuperación inversa |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL ESTUCHE.