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YZPST-KP1000A6500V
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
THYRISTOR DE ALTA POTENCIAPARA CONTROL DE FASE APLICACIONES
Características:
Todos Estructura difusación
. Con ánodo de amplificación central Gate
. Garantizado Tiempo máximo de apagado
. Alta dV/dt capacidad
. Ensamblado por presión Dispositice
Bloqueo - Estado de bloqueo
VRRM (1) | V DRM (1) | VRSM (1) |
6500 | 6500 | 6600 |
VRRM = tensión inversa máxima repetitiva
VDRM = tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo
VRSM = tensión máxima no repetitiva de pico inversa (2)
Notas:
Todos los valores nominales se especifican para Tj=25 oC salvo
salvo que se indique lo contrario.
(1) Todos los valores nominales de tensión se especifican para una onda sinusoidal aplicada de 50 Hz/60 Hz en el
rango de temperatura -40 a +125 oC.
(2) Ancho de pulso máx. de 10 ms
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial
hasta el 80% del VDRM nominal. Puerta abierta.
Tj = 125 oC.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di/dt se establece en
conformidad con la norma EIA/NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido será adicional al obtenido con un circuito snubber, que consiste en un condensador de 0,2 μF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el tiristor
bajo prueba.
Fuga inversa de pico repetitiva y | IRRM / IDRM | 40 mA 200 mA (3) |
Tasa crítica de aumento de tensión | dV/dt (4) | 1000 V/μs |
Conducción - en estado de conducción
| Parámetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condiciones |
| Valor medio máximo en conducción current | IT(AV) | 1000 | A | Onda sinusoidal, 180o conducción TC=70 oC | ||
| Valor eficaz de la corriente en conducción current | ITRMS | 1650 | A | Valor nominal | ||
| Pico uno cpstcle de sobretensión | ITSM | 18 | kA | 10.0 mseg (50Hz), sinusoidal onda- forma, 180o conducción, Tj = 125 oC | ||
| (no repetitiva) current | ||||||
| I cuadrada t | I2t | 1620 | kA2s | |||
| Corriente de enclavamiento | IL | 1500 | mA | VD = 24 V; RL= 12 ohmios | ||
| Corriente de mantenimiento | IH | 500 | mA | VD = 24 V; I = 2.5 A | ||
| Tensión máxima en conducción | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000 A; Tvj= 125℃ | ||
| Tensión de umbral | VA | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Pendiente resistencia | rT | 1.01 | mΩ | Tvj= 125℃ | ||
| Crítica tasa de aumento de en estado current (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Conmutación desde VDRM < 1500 V, | ||
| no repetitiva | ||||||
| Crítica tasa de aumento de en estado current (6) | di/dt | - | A/μs | Conmutación desde VDRM < 3500 V |
Disparo de compuerta
Parámetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condiciones |
Disipación máxima de potencia de compuerta | PGM |
| 50 |
| W | tp = 40 us |
Potencia media de compuerta total de potencia | PG(AV) |
| 10 |
| W |
|
Corriente máxima de compuerta | IGM |
| 10 |
| A |
|
Corriente de compuerta requerida para disparar todas las unidades | IGT |
| 400 |
| mA mA mA | VD = 6 V;RL = 3 ohmios;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohmios;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohmios;Tj = +125oC |
Tensión de compuerta requerida para disparar todas las unidades |
VGT |
| - 2.6 - |
| V V V | VD = 6 V;RL = 3 ohmios;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohmios;Tj = 0- 125oC VD = VDRM nominal; RL = 1000 ohmios; Tj = + 125 oC |
Tensión negativa máxima | VGRM |
| 10 |
| V |
Dinámica
Parámetro | Símbolo | Mín.. | Máx.. | Típ.. | Unidades | Condiciones |
Tiempo de retardo | td |
|
- |
|
μs | ITM = 1000 A; VD = VDRM nominal Pulso de compuerta: VG = 20 V; RG = 20 ohmios; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs |
Tiempo de apagado (con VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
μs | ITM = 1000 A; di/dt = 1 A/μs; VR > 200 V; dV/dt reaplicado = 20 V/μs lineal hasta el 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; ciclo de trabajo > 0.01% |
Carga de recuperación inversa | Qrr |
| - |
| μAs | ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200 V |
ESQUEMA Y DIMENSIONES DE LA CARCASA.
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
