.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BT151-650R-L
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BT151 SCR de 12 A
YZPST-BT151-650R-L
SCR BT151-650R-L de 650 V TO-220 y 12 A
DESCRIPCIÓN:
Tiristores pasivados con vidrio en encapsulado de plástico. La serie BT151 de SCR es adecuada para todo tipo de control y se utiliza en aplicaciones como protección crowbar contra sobretensión, circuitos de control de motores en herramientas eléctricas y electrodomésticos de cocina, circuitos de limitación de corriente de arranque, encendido por descarga capacitiva y circuitos de regulación de voltaje
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS
Símbolo | Valor | Unidad |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRM VRRM | 650 | V |
IGT | 15 | mA |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40 ~ 150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T =25℃) | VDRM | 650 | V |
Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃) | VRRM | 650 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción (T = 105℃) | IT(RMS) | 12 | A |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°, F=50Hz) | ITSM | 100 | A |
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) | IT(AV) | 8 | A |
Valor I2t para fusible (tp= 10 ms) | I2t | 45 | A2S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) | di/dt | 50 | A/μS |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
ELÉCTRICAS CARACTERÍSTICAS (T=25℃salvo que se especifique)
Símbolo | Condición de prueba |
| Valor | Unidad |
IGT | V = 12 V R = 140 Ω | MÁX. | 15 | mA |
VGT | MÁX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ R= 1KΩ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | MÁX. | 50 | mA |
IH | IT=50mA | MÁX. | 30 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRM Puerta abierta Tj=125℃ | MÍN. | 400 | V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Parámetro | Valor（MAX.） | Unidad | |
| VTM | ITM =23A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.6 | V |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | Tj =25℃ | 5 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 2 | mA | |
Térmica Resistencias
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| TO-220M1 | 60 | |||
| Rth(j-a) | unión a ambiente | TO-220FW | 50 | |
| TO-252 | 70 | |||
| TO-220M1 | 1.5 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | Unión a encapsulado | TO-220FW | 4.5 | |
| TO-252 | 2 | |||
TO-220 Encapsulado Mecánico Datos
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
