Parámetro

Símbolo

Máximo

Límites máximos

Unidades

Condiciones

Voltaje pico inverso repetitivo

V RRM

1600

V

Voltaje pico repetitivo de estado apagado

V DRM

1600

V

Valor promedio de corriente de estado activo

I T (AV)

641

A

Onda sinusoidal, 180 ^o conducción, T sink =70 ℃

Pico de una sobretensión por ciclo

corriente (no repetitiva)

I TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), forma de onda sinusoidal,

180 o conducción, T j = 125 ℃

I RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

I DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Voltaje pico en estado de conducción

V TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ I TM =1000A

Voltaje umbral

V T (TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Resistencia de pendiente

r T

0.52

mΩ

T j =1 25 ℃

Disipación promedio de potencia en la compuerta

P G (AV)

3

W

Corriente de compuerta

I GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohm;T j = +25 ℃

Voltaje de compuerta

V GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohm;T j = 0-125 ℃

Corriente de retención

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohm

Corriente de retención

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Tasa crítica de aumento de voltaje

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Tasa crítica de aumento del estado de encendido

corriente

di/dt

200

A/ s

Cambio de V DRM 1000 V,

no repetitivo

Temperatura de operación

T

-30-125

℃

Temperatura de almacenamiento

T stg

-30-125

℃