YZPST-BT151X-650R

Serie de SCRs BT151 12A

YZPST-BT151X-650R

La serie de SCRs BT151 es adecuada para adaptarse a todos los modos de control T0-220F

DESCRIPCIÓN:

Tiristores con pasivación de vidrio en un sobre de plástico, la serie de SCRs BT151 es adecuada para adaptarse a todos los modos de control, se encuentran en aplicaciones como protección de sobretensión, circuitos de control de motor en herramientas eléctricas y ayudantes de cocina, circuitos limitadores de corriente de entrada, encendido por descarga capacitiva y circuitos de regulación de voltaje

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La serie de SCRs YZPST-BT151X-650R BT151 es adecuada para adaptarse a todos los modos de control T0-220F

Serie BT151 SCR de 12A

YZPST-BT151X-650R

La serie de SCRs BT151 es adecuada para adaptarse a todos los modos de control T0-220F

DESCRIPCIÓN:

Tiristores con pasivación de vidrio en un sobre de plástico. La serie de SCRs BT151 es adecuada para adaptarse a todos los modos de control, se encuentran en aplicaciones como protección contra sobretensiones, circuitos de control de motores en herramientas eléctricas y ayudantes de cocina, circuitos limitadores de corriente de entrada, encendido de descarga capacitiva y circuitos de regulación de voltaje

PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS

Símbolo	Valor	Unidad
IT(RMS)	12	A
VDRM VRRM	650	V
IGT	15	mA

ABSOLUTO MÁXIMO CLASIFICACIONES

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Rango de temperatura de la unión de almacenamiento	Tstg	-40 ~ 150	°C
Rango de temperatura de la unión de operación	Tj	-40~ 125	°C
Voltaje de pico repetitivo en estado de apagado (T =25 °C )	VDRM	650	V
Voltaje de pico repetitivo en inversa (T =25 °C )	VRRM	650	V
Corriente eficaz en estado de encendido (T =105 °C )	IT(RMS)	12	A
Corriente de pico de sobretensión no repetitiva en estado de encendido ( 180° ángulo de conducción, F=50Hz)	ITSM	100	A
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°)	IT(AV)	8	A
Valor I2t para fusión (tp=10ms)	I2t	45	A2S
Tasa crítica de aumento de corriente en estado de conducción (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns)	di/dt	50	A/μS
Corriente pico de compuerta	IGM	4	A
Disipación de potencia promedio de la compuerta	PG(AV)	1	W

ELÉCTRICO CARACTERÍSTICAS (T=25 °C a menos que de lo contrario especificado )

Símbolo	Condición de prueba		Valor	Unidad
IGT	V = 12V R = 140Ω	MÁX.	15	mA
VGT	V = 12V R = 140Ω	MÁX.	1.3	V
VGD	VD=VDRM Tj=125 °C R=1KΩ	MÍN.	0.2	V
IL	IG= 1.2IGT	MÁX.	50	mA
IH	IT=50mA	MÁX.	30	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125 °C	MÍN.	400	V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Símbolo	Parámetro		Valor （ MAX . ")	Unidad
V TM	I TM =23 A tp =380μs	Tj =25 °C	1.6	V
I DRM	V D =V DRM V R =V RRM	Tj =25 °C	5	A
I RRM	V D =V DRM V R =V RRM	Tj =125 °C	2	mA