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YZPST-BT169 10-30UA
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-BT169 SCR
DESCRIPCIÓN:
La serie SCR B T 1 6 9 ofrece una alta tasa de dv/dt
con gran resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Se recomiendan especialmente para su uso en interruptores diferenciales, rectificadores controlados, encendedores, etc.
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
I_T(RMS) | 0.8 | A |
VDRM/VRRM | 400/600/800 | V |
VTM | <1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
Parámetro | Símbolo | valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40~150 | ℃ |
rango de temperatura de unión de operación | Tj | -40~110 | ℃ |
tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo (Tj=25℃) | VDRM | 400/600/800 | V |
tensión inversa máxima repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 400/600/800 | V |
corriente eficaz en estado de conducción (Tc=80℃) | I_T(RMS) | 0.8 | A |
corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ciclo completo, F=50Hz) | I_TSM | 10 | A |
valor de I²t para fusible (tp=10ms) | I²t | 0.5 | A2s |
tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (IG=2xIGT) | dl/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | I_GM | 0.2 | A |
disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 0.1 | W |
potencia pico de compuerta | PGM | 0.5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25K salvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | valor | ||||
| Condición de prueba | MÍN | TIPO | MAX | unidad | |
| lGT | - | 20 | 200 | μA | |
| VGT | VD=12V, RL=33Ω | - | 0.5 | 1 | V |
| VD=VDRM Tj=110K | |||||
| VGD | RL=3.3KΩ | 0.2 | - | - | V |
| lH | lT=50mA | - | - | 2 | mA |
| lL | lG=1.2lGT | - | - | 3 | mA |
| VD=0.66XVDRM Tj=110K | |||||
| dV/dt | G RGK=1 kΩ | 20 | - | - | V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condición de prueba | valor | unidad | ||
| VTM | lTM=2A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| lDRM | VDRM= VRRM | Tj=25℃ | 5 | μA | |
| lRRM | RGK=1 kΩ | Tj=110℃ | MAX | 100 | μA |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
