.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

YZPST-N2055MC280
El resumen del producto y la información técnica principal se cargarán desde la base de datos de productos.
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-N2055MC280
VRRM(1) | V DRM(1) | VRSM(1) |
2800 | 2800 | 2900 |
Pico repetitivo de inversase fuga y apagado fuga en estado | IRRM / IDRM | 10 mA 65 mA (3) |
Tasa crítica de aumento de tensión | dV/dt (4) | 500 V/μs |

Estado - on de conducción
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
| Valor medio de la corriente en estado de conducción | IT(AV) | 2000 | A | Tc=93oC | ||
| Valor eficaz de la corriente en estado de conducción | ITRMS | 2000 | A | Valor nominal | ||
| Sobretensión de pico única | ITSM | 41000 | A | 8,3 mseg (60 Hz), forma de onda sinusoidal, conducción de 180°, Tj = 125 °C 10,0 mseg (50 Hz), forma de onda sinusoidal, conducción de 180°, Tj = 125 °C | ||
| corriente (no repetitiva) | 36000 | A | ||||
| I²t | I2t | 3.3x106 | A2s | 8.3 ms y 10.0 ms | ||
| Corriente de enclavamiento | IL | 800 | mA | VD = 24 V; RL = 12 ohmios | ||
| Corriente de mantenimiento | IH | mA | VD = 24 V; I = 2.5 A | |||
| 400 | ||||||
| Tensión máxima en estado conductor | VTM | V | ITM = 2000 A; | |||
| 1.45 | ||||||
| Tasa crítica de aumento de la corriente en estado conductor (5) | di/dt | A/μs | Conmutación desde VDRM < 1000 V, no repetitiva | |||
| 200 |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
| Disipación máxima de potencia en la compuerta | PGM | 200 | W | tp = 40 us | ||
| Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 5 | W | |||
| Corriente máxima de compuerta | IGM | 10 | A | |||
| Corriente de compuerta necesaria para disparar todas las unidades | IGT | 300 | mA | VD = 6 V; RL = 3 ohmios; Tj = -40 °C VD = 6 V; RL = 3 ohmios; Tj = +25 °C VD = 6 V; RL = 3 ohmios; Tj = +125 °C | ||
| 150 | mA | |||||
| 125 | mA | |||||
| Tensión de compuerta necesaria para disparar todas las unidades | VGT | 5 | V | VD = 6 V; RL = 3 ohmios; Tj = -40 °C VD = 6 V; RL = 3 ohmios; Tj = 0-125 °C VD = VDRM nominal; RL = 1000 ohmios; Tj = +125 °C | ||
| 0.3 | 3 | V | ||||
| V | ||||||
| Tensión negativa máxima | VGRM | 5 | V |
Dinámica
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
| Tiempo de retardo | td | 1.5 | 0.7 | μs | ITM = 50 A; VD = VDRM nominal | |
| Pulso de compuerta: VG = 20 V; RG = 20 ohmios; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs | ||||||
| Tiempo de apagado (con VR = -50 V) | 500 | 250 | μs | ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs; | ||
| VR > -50 V; dV/dt reaplicado = 20 V/μs lineal hasta el 80% de VDRM; VG = 0; Tj = 125 °C; ciclo de trabajo > 0.01% | ||||||
| Carga de recuperación inversa | Qrr | μC | ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs; | |||
| * | VR > -50 V |
YZPST-N2055MC280

Productos relacionados
Desde un número de pieza hasta un requisito energético completo.

Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
Envíenos el número de pieza, el objetivo eléctrico y el contexto de la aplicación.
Contactar con YZPST →© 2026 YZPST. Todos los derechos reservados.
Utilizamos cookies necesarias para que este sitio web funcione. Con su permiso, las cookies analíticas nos ayudan a entender el uso del sitio. Lea nuestra Política de cookies.





.jpg)
.jpg)