.webp)
.webp)
.webp)
YZPST-RD100N26C
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Producto Resumen
Parámetro | Típ.. | Unidad |
VHoja de datos | 100 | V |
VGS(th) | 1.9 | V |
ID (@ VGS = 10V) (1) | 26 | A |
RHoja de datos(Encendido) (@ VGS = 10V) | 30 | mΩ |
Absoluto Máximo Clasificaciones (@ TA = 25°C salvo que se especifique)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
Tensión drenaje-fuente | VHoja de datos | 100 | V | |
Tensión puerta-fuente | VGS | ±20 | V | |
Continuo drenaje Corriente (1) | TC = 25°C | ID | 26 | A |
TC = 100°C | 16 | |||
Pulsada drenaje Corriente (2) | IDM | 70 | A | |
Corriente de avalancha (3) | IAS | 14 | A | |
Avalancha Energía (3) | EAS | 10 | mJ | |
Disipación de potencia (4) | TC = 25°C | PD | 50 | W |
TC = 100°C | 20 | |||
Temperatura de unión y de almacenamiento Rango | TJ , TSTG | -55 a 150 | °C | |
TO-263-3L Encapsulado Información
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
