YZPST-1N5603
H i g h V ol t ag e S i li co n A sse m b l y S e r i es
YZPST-HVSS- 5KV/5.0A Apilador de Silicio de Alto Voltaje
CARACTERÍSTICAS
Utilizando la tecnología de combinación de núcleo de tubo de nivel de producción más avanzado.
Baja corriente de fuga, bajo consumo de energía, temperatura de unión de operación de -40 °C a +175 °C.
Excelente resistencia al impacto de corriente grande instantánea y características de avalancha inversa.
Rendimiento original de conducción de calor, diseño eficiente de disipación de calor.
Formas y tamaños generales y diferentes para elegir o personalizar.
En el circuito en rectificador de alto voltaje, efecto de aislamiento y protección.
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D E V ICE E L E C T RIC A L CH A R A C T E RI S T ICS (2 5 ℃ a m b i en t t e m p era t ur y un l e s s s ta t e d o t herw i s e ) |
C O NDI T I O NS |
S YMB O L |
5 K V / 5 . 0 A |
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Ma xi m um R e p e titi v e P ea k R eve rs e V o l t a ge |
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V R R M |
5 K V |
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P e a k R e v e r s e W or king V o l t a ge |
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V R W M |
5 K V |
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A v e ra ge F o r w a r d Cu r re nt M a x i m u m |
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I O |
5 . 0 A |
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Ma xi m um S u r ge Cu r r e nt R a ti n g |
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I F S M |
1 5 0 A |
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Ma xi m u m F o r w a r d V o lt a ge D r o p |
@ 5 A |
V F M |
6 . 0 V |
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P ea k R e v ers e C u r r e n t |
@ 2 5 ℃ |
I R R M |
5 . 0 u A |
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Ma xi m u m J un c ti o n T e m p e r a t u r e |
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T J |
1 5 0 ℃ |
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S a r a ge T em p e r a tu r e R a n ge |
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T s t g |
- 4 0 ~+ 1 5 0 ℃ |
YZPST puede proporcionar la siguiente lista equivalente de diodos de alto voltaje .
Diodos de alto voltaje
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diodo de alto voltaje de alta frecuencia
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)
08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)
PST-12 (10mA 12000V, 80ns)
PST-14 (10mA 12000V, 80ns)
PST-16 (10mA 12000V, 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
Pila de silicio de alto voltaje
(20mA-10A, 30KV-500KV)