







YZPST-1N5603
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High Voltage Silicon Assembly Series
YZPST-HVSS- 5KV/5.0A Pila de silicio de alta tensión
CARACTERÍSTICAS
Utiliza la tecnología de combinación de núcleo de tubo y un nivel de producción de vanguardia.
Baja corriente de fuga, baja potencia, temperatura de unión de operación de -40 °C a +175 °C.
Excelente resistencia al impacto de grandes corrientes instantáneas y características de avalancha inversa.
Excelente rendimiento de conducción térmica, diseño eficiente de disipación de calor.
Disponibles modelos universales y diferentes formas y tamaños, o personalizados.
En el circuito, actúa como rectificador de alta tensión, aislamiento y protección.
DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25℃ambient temperature unless stated otherwise) | CONDITIONES | SYMBOL | 5KV/5.0A |
Maximum Repetitive Peak Reverese Voltage | VRRM | 5KV | |
Peak Reverse Woking Voltage | VRWM | 5KV | |
Avecage Forward Cobrerciónnte Maximum | IO | 5.0A | |
Maximum Surge Cobrerrente Rating | IFSM | 150A | |
Maximum Forward Voltage Drop | @5A | VFM | 6.0V |
Peak Reverse Current | @25℃ | IRRM | 5.0uA |
Maximum Junction Temperature | TJ | 150℃ | |
Sarage Temperature Range | Tstg | -40~+150℃ |

YZPST puede proporcionar la siguiente lista de equivalentes de diodos de alta tensión.
Diodos de alta tensión
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diodo de alta tensión y alta frecuencia
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)
08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)
PST-12 (10mA 12000V, 80ns)
PST-14 (10mA 12000V, 80ns)
PST-16 (10mA 12000V, 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
Pila de silicio de alto voltaje
(20mA-10A, 30KV-500KV)
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