YZPST-KP4350A1600V

Tipo de dispositivo

VRRM(1)

VDRM (1)

VRSM(1)

KP4350A

1600

1600

1700

Corriente de fuga repetitiva de pico en inversa y de estado de bloqueo

I_{RRM /}I_DRM

450 mA (3)

Tasa crítica de subida de tensión

dV/dt (4)

300 V/ms

Parámetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condiciones

Valor medio de la corriente en conducción

I_T(AV)

4350

A

Onda sinusoidal, 180^oconducción, T_S=70^oC

Corriente de pico de sobrecarga de un ciclo

corriente no repetitiva

I_TSM

48900

A

10,0 ms (50 Hz), onda sinusoidal-

forma, 180^oconducción, T_j = 125 ^oC

I²t

I²t

11.9x10⁶

A²s

10,0 ms

Corriente de enclavamiento

I_L

1000

mA

V_D = 12V; R_L= 12 ohmios

Corriente de mantenimiento

I_H

450

mA

V_{D =} 12V; I = 2,5 A

Tensión máxima en conducción

V_TM

1.5

V

I_TM = 6000 A; ciclo de trabajo£ 0.01%

T_j = 25 ^oC

Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de encendido

corriente (5)

di/dt

200

A/ms

Conmutación desde V_DRM £1000 V,

no repetitiva

Parámetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condiciones

Disipación máxima de potencia en la compuerta

P_GM

200

W

t_p= 40 us

Disipación media de potencia de compuerta

P_G(AV)

5

W

Corriente de pico de compuerta

I_GM

15

A

Corriente de compuerta necesaria para disparar todas las unidades

I_GT

30

300

200

125

mA

mA

mA

V_D = 12V;R_L = 6ohmios;T_j= -40^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohmios;T_j= +25^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohmios;T_j= +125^oC

Tensión de compuerta necesaria para disparar todas las unidades

V_GT

0.30

5

3

V

V

V

V_D = 12V;R_L = 6ohmios;T_j= -40^oC

V_D = 12V;R_L = 6ohmios;T_j= 0-125^oC

V_D= Tensión nominal V_DRM; R_L= 1000 ohmios;

T_j= + 125^oC

Tensión negativa máxima

V_GRM

15

V

Parámetro

Símbolo

Mín.

Máx.

Típ.

Unidades

Condiciones

Tiempo de retardo

t_d

3.0

2.5

ms

I_TM = 50 A; V_D = 1500 V

Pulso de compuerta: V_G = 20 V; R_G = 20 ohmios; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms

Tiempo de apagado (con V_R = -50 V)

t_q

400

ms

I_TM = 250 A; di/dt = 25 A/ms;

V_R ³ -50 V; dV/dt reaplicado = 30 V/ms lineal hasta 67% V_DRM; V_G = 0;

T_j = 125 ^oC; ciclo de trabajo cpstcle ³ 0.01%

Recuperación inversa carga

Q_rr

A

I_TM =500 A; di/dt = 5 A/ms;

V_R ³ -50 V,T_j = 25 ^oC;