YZPST-T171-320-10

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Características:

● Configuración de compuerta con amplificación central
● Encapsulado moldeado por compresión
● Alta capacidad dV/dt
● Tipo espárrago, rosca en pulgadas o métrica

Aplicación

● Conmutación de potencia media
● Fuentes de alimentación de CC

Máximos valores nominales y características

Símbolo	Parámetro		Valores	Unidades	Condiciones de prueba
EN ESTADO CONDUCIENDO
ITAV	Corriente media en estado conduciendo		320	A	Onda sinusoidal, conducción de 180°, Tc=84 °C
ITRMS	Valor eficaz de la corriente en estado de conducción		502	A	Valor nominal
ITSM	Pico de sobretensión de un ciclo (no repetitiva) corriente		7	kA	10,0 ms (50 Hz), onda sinusoidal- de onda, conducción de 180°, Tj = 125 °C
I²t	I²t		240	kA2s	8,3 ms y 10,0 ms
IL	Corriente de enclavamiento		700	mA	VD = 24 V; RL = 12 ohmios
IH	Corriente de mantenimiento		300	mA	VD = 24 V; I = 2,5 A
VTM	Tensión pico en estado de conducción		1.6	V	ITM = 1005 A
di/dt	Tasa crítica de aumento de la corriente en estado conduciendo	no repetitivo	1000	A/ms	Excitación de compuerta 20 V, 20 Ω, tr≤1 μs, Tj=Tjmax, tensión de ánodo≤80% VDRM
di/dt		repetitivo	-	A/ms
BLOQUEO
VDRM VRRM	Tensión de pico repetitiva en estado de bloqueo Tensión inversa de pico repetitiva		1000	V
VDSM VRSM	Tensión de pico no repetitiva en estado de bloqueo Tensión inversa de pico no repetitiva		1100	V
IDRM IRRM	Corriente de pico repetitiva en estado de bloqueo Corriente inversa de pico repetitiva		70	mA	Tj = 100 °C, VDRM y VRRM aplicados
dV/dt	Velocidad crítica de subida de tensión		500	V/ms	TJ=TJmax, lineal hasta el 80 % del VDRM nominal
DISPARO
PG(AV)	Disipación de potencia media de compuerta		3	W
PGM	Disipación de potencia máxima de compuerta		-	W
IGM	Corriente pico de compuerta		6	A
IGT	Corriente de disparo de compuerta		250	mA	TC = 25 °C
VGT	Tensión de disparo de compuerta		2.5	V	TC = 25 °C
VGD	Tensión de no disparo de compuerta		0.6	V	Tj = 125 °C
VT0			1.006	V	Tj = 125 °C
rT			0612	mΩ
CONMUTACIÓN
tq	Tiempo de apagado		125	ms	ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs, VR=100V, dv/dt=50V/μs, compuerta 0V 100Ω, tp=500μs
td	Tiempo de retardo		-	ms	Corriente de compuerta A, di/dt=40A/μs, Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C

Térmico y mecánico

Símbolo	Parámetro	Valores	Unidades	Condiciones de prueba
Tj	Temperatura de funcionamiento	-40~125	°C
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-40~125	°C
R th (j-c)	Resistencia térmica - unión a encapsulado	0.085	°C/W	Funcionamiento en CC, refrigeración por una sola cara
R th (c-s)	Resistencia térmica - encapsulado a disipador	-	°C/W	Refrigeración por una sola cara
P	Fuerza de montaje	-	Nm	± 10 %
W	Peso	440	g	aprox.

ESQUEMA

YZPST puede proporcionar la siguiente lista de equivalentes de tiristores de control de fase (tipo espárrago)

Tipo	IT(AV)	VTM/ITM		VDRM VRRM	IDRM IRRM	IGT	VGT	dv/dt	Tjm	F
Tipo	A	V/A		V	mA	mA	V	V/gs	°C	F
KP5	5	2.2	15	300-1600		100	2.0		125
KP20	20	2.2	60	300-1600	10	100	2.0		125	10Nm
KP50	50	2.2	150	300-1600	15	100	2.0	500	125	16Nm
KPI 00	100	2.8	300	100-2200	20	200	2.5	500	125	33Nm
KP200	200	2.8	600	100-2200	25	200	2.5	500	125	4KN
KP300	300	2.8	900	100-2200	30	200	2.5	500	125	7KN
KP500	500	3.0	1500	100-2200	45	300	3.0	500	125	10KN

Para más información sobre el tiristor de control de fase, descargue el archivo PDF anterior titulado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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