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YZPST-SR10100 Diodo rectificador Schottky de barrera de plástico de alta eficiencia SR10100
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Diodo rectificador Schottky de barrera de plástico
YZPST-SR10100
Características
Rectificador de silicio metálico, conducción por portadores mayoritarios · Anillo de guarda para protección transitoria
Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
Alta capacidad de corriente, bajo VF
Alta capacidad de sobretensión
El encapsulado plástico tiene clasificación de inflamabilidad UL 94 V-0
Datos mecánicos
Encapsulados: plástico moldeado JEDEC R-6
Polaridad: banda de color cátodo
Peso: 0.07 onzas 2.1 gramos
Posición de montaje: cualquiera
Valores máximos y características eléctricas
Valores nominales a temperatura ambiente de 25 ℃, salvo que se indique lo contrario.
Monofásico, de media onda, 60 Hz, carga resistiva o inductiva.
Para carga capacitiva, reduzca la corriente en un 20%
| Símbolos | SR10100 | Unidad | ||
| Pico máximo repetitivo tensión inversa | VRRM | 100 | V | |
| Máximo Tensión RMS | VR(RMS) | 70 | V | |
| Máximo Tensión de bloqueo en CC | VCC | 100 | V | |
| IF(AV) | 10 | A | ||
| Máximo promedio Directa Corriente rectificada | ||||
| Corriente de sobretensión directa máxima8,3 ms de un solo de media onda sinusoidal superpuesta a carga nominal | IFSM | 150 | A | |
| @IF =10A | ||||
| Tensión directa máxima | VF | 0.85 | V | |
| Corriente inversa máxima | @TA = 25℃ @TA = 100℃ | IR | 0.5 | mA |
| 50 | ||||
| Resistencia térmica típica | RθJA | 3 | ℃//W | |
| Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -205 | ℃ | |
| Unión temperatura rango a reducida tensión inversa en DC directa modo | Tj | -205 | ℃ | |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
