YZPST-FM3N150C
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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MOSFET de canal N de 1500 V
YZPST-FM3N150C
Descripción general
Este MOSFET de potencia se fabrica mediante una avanzada tecnología planar autoalineada. Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en conducción, ofrecer un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo avalancha y conmutación.
Estos dispositivos pueden utilizarse en diversos circuitos de conmutación de potencia para lograr la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
Características
3 A, 1500 V, RDS(on) típ. = 5 Q @ VGS = 10 V Id = 1,5 A
Baja carga de compuerta (típica 9,3 nC)
Baja carga de compuerta (típica 2,4 pF)
Conmutación rápida
Probado al 100 % en avalancha
Valores máximos absolutosTc = 25 °C salvo que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | JFFM3N150C | Unidades | |
| Vdss | Tensión drenaje-fuente | 1500 | V | |
| Id | Corriente de drenaje | Continua (Tc = 25 °C) | 1.8 | A |
| Continua (Tc = 100 °C) | 1.2 | A | ||
| Idm | Corriente de drenaje - pulsada (nota 1) | 12 | A | |
| Vgss | Tensión puerta-fuente | ±30 | V | |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único (nota 2) | 225 | mJ | |
| dv/dt | dv/dt máximo de recuperación del diodo (nota 3) | 5 | V/ns | |
| Pd | Disipación de potencia (Tc = 25 °C) | 30 | W | |
| Tj, Tstg | Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento | -55 a +150 | °C | |
| Tl | Temperatura máxima de los terminales para soldadura | 300 | °C | |
| 1/8〃 de la carcasa durante 5 segundos | ||||
Características térmicas
| Símbolo | Parámetro | JFFM3N150C | Unidades |
| Raic | Resistencia térmica, unión a carcasa | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Resistencia térmica, unión a ambiente | 62.5 | °C/W |
Características eléctricasTc=25 °C salvo que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidades |
| Características de apagado | ||||||
| BVdss | Tensión de ruptura drenador-fuente | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | ― | — | V |
| / BVdss/ | Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura | Id = 250 uA, referenciado a | -- | 1.3 | -- | V/°C |
| 』Tj | 25 °C | |||||
| Corriente de drenador con tensión de compuerta cero | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Corriente de fuga compuerta-cuerpo, directa | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Corriente de fuga compuerta-cuerpo, inversa | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Características de conducción | ||||||
| VGS(th) | Tensión umbral de compuerta | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Resistencia estática drenaje-fuente en conducción | Vgs = 10 V,Id= 1,5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transconductancia directa | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Características dinámicas | ||||||
| Ciss | Capacitancia de entrada | Vds = 25 V,Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacitancia de salida | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Resistencia de compuerta | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Características de conmutación | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de activación | 34 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida de activación | Vds = 750 V,Id=3.0A/ Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | 100 ,Vgs 10 V (Nota 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída al apagado | 27 | ns | |||
| Qe | Carga total de compuerta | Vds = 750 V,Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Carga compuerta-fuente | 10 V (Nota 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Carga compuerta-drenador | 5.3 | nC | |||
| Características del diodo drenador-fuente y valores máximos nominales | ||||||
| Is | Corriente directa continua máxima del diodo drenador-fuente | — | — | 3 | A | |
| Ism | Corriente directa de pulso máxima del diodo drenador-fuente | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Tensión directa del diodo drenador-fuente | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Carga de recuperación inversa | dlF/dt = 100 A/us ( Nota | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Notas:
1. Clasificación repetitiva: ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de unión
2. L= lO.OmH , Ias = 6.7A, Rg = 25Q, Tj inicial = 25°C
3. Isd < 3.0Azdi/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Tj inicial = 25°C
4. Prueba de pulso: ancho de pulso <3OOuszCiclo de trabajo <2%
5. Prácticamente independiente de la temperatura de funcionamiento
Para obtener más información sobreYZPST-FM3N150Cdescargue el archivo PDF anterior llamado " YZPST-FM3N150C"
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