Diodo Schottky de barrera SBD de construcción epitaxial de 5,0 A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Construcción epitaxial diodo barrera Schottky SBD de 5,0 A
CARACTERÍSTICAS
Baja caída de tensión directa
Alta capacidad de corriente
Alta fiabilidad
Alta capacidad de corriente de sobretensión
Construcción epitaxial
DATOS MECÁNICOS
Encapsulado de plástico moldeado
Epoxi: retardante de llama con clasificación UL 94V-0
Terminal: terminales axiales, soldables según MIL-STD-202, método 208 garantizado
Polaridad: la banda de color indica el extremo del cátodo
Posición de montaje: cualquiera
Peso: 1,00 gramos
Disponibles versiones estándar y sin Pb:
Estándar: 80~95% Sn, 5~20% Pb
Sin Pb: 99 Sn o superior puede cumplir los requisitos de la directiva RoHS sobre sustancias ambientales
RANGO DE TENSIÓN
20 a 200 voltios
CORRIENTE
5,0 amperios
VALORES MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Valores nominales a temperatura ambiente de 25 °C, salvo indicación contraria. Media onda monofásica, 60 Hz, carga resistiva o inductiva.
Para carga capacitiva, reduzca la corriente en un 20%.
NÚMERO DE TIPO | SB520 | SB540 | SB540 | SB580 | SB5100 | SB5150 | SB5200 | UNIDADES |
Tensión inversa de pico recurrente máxima | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Tensión RMS máxima | 14 | 32 | 42 | 56 | 70 | 105 | 140 | V |
Tensión máxima de bloqueo en CC | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Corriente rectificada media directa máxima Véase la figura 1 |
5.0 |
A | ||||||
Corriente de sobrecarga de pico directa, semionda única de 8,3 ms superpuesta a la carga nominal (método JEDEC) |
150 |
A | ||||||
Tensión directa instantánea máxima a 5,0 A | 0.55 | 0.70 | 0.85 | V | ||||
CC máxima Recuperación inversa Corriente Ta=25 C a CC nominal Bloqueo Voltaje Ta=100 C | 200 20 | uA mA | ||||||
Capacitancia típica de la unión (nota 1) | 380 | pF | ||||||
Resistencia térmica típica RqJA (nota 2) | 10 | C/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento TJ | -65 +150 | C | ||||||
Rango de temperatura de almacenamiento TSTG | -65 +150 | C | ||||||
NOTAS:
1. Medido a 1 MHz y con una tensión inversa aplicada de 4,0 V c.c.
2. Resistencia térmica unión-ambiente con montaje en placa de circuito impreso vertical, longitud de terminal de 0,5" (12,7 mm).
Para obtener más información sobreYZPST-SB5100descargue el archivo PDF anterior llamado "YZPST-SB520 hasta SB5200"
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
