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YZPST-S2535-12C
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N: YZPST-S2535 Serie de SCR de 25 A
La serie YZPST-S2535 de SCR de 25 A es adecuada para todo tipo de control
DESCRICIÓN:
Tiristores pasivados con vidrio en encapsulado plástico. La serie YZPST-S2535 de SCR es adecuada para todo tipo de control y se utiliza en aplicaciones como protección contra sobretensión tipo crowbar, circuitos de control de motor en herramientas eléctricas y electrodomésticos de cocina, circuitos de limitación de corriente de arranque, encendido por descarga capacitiva, control suave de motores de CA y circuitos de regulación de tensión…
Símbolo | Valor | Unidad |
IT(RMS) | 40 | A |
VDRM VRRM | 1200 | V |
IGT | 35 | mA |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES
Parametro | Ssímbolo | Valor | UUnidad |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión máxima repetitiva en estado bloqueado (T = 25 ℃) | VDRM | 1200 | V |
Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃) | VRRM | 1200 | V |
Tensión máxima de sobretensión no repetitiva en estado bloqueado | VDSM | VDRM +100 | V |
Tensión inversa máxima no repetitiva | VRSM | VRRM +100 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción (T = 100 ℃) | IT(RMS) | 40 | A |
Corriente máxima no repetitiva de sobretensión en estado de conducción | ITSM | 350 | A |
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) | IT(AV) | 25 | A |
Valor I2t para fusión (tp=10ms) | I2t | 450 | A2S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) | dI/dt | 150 | A/μS |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
Símbolol | Ensayo Condición |
| Valor | UUnidad |
IGT | V =12V R =140Ω | MÁX. | 35 | mA |
VGT | MÁX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG=1.2IGT | MÁX. | 75 | mA |
IH | IT=50mA | MÁX. | 50 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | MÍN. | 500 | V/μs |
ESTÁTICO CHCARACTERÍSTICAS
| Símbolol | Parametro | Valor(MAX.) | UUnidad | |
| VTM | ITM =40A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.65 | V |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | Tj =25℃ | 500 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 6 | mA | |
TTérmico Resistencias
| Símbolol | Parametro | Valor(MAX.) | UUnidad |
| Rth(j-a) | unión a ambiente(CC) | 60 | |
| Rth(j-c) | Unión a case (CC) | 0.9 | ℃/W |
TO-220 °C Encapsulado Mecánico Datos
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
