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YZPST-BT131-2325
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Triacs serie BT131 de 1 A SOT-223
DESCRIPCIÓN:
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 1 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS:
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40~150 | ℃ | |
Rango de temperatura de unión en funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ | |
Tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V | |
Tensión inversa máxima repetitiva (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V | |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 1 | A | |
Corriente máxima de pico de sobrecarga no repetitiva en estado de conducción (ciclo completo, F=50 Hz) |
ITSM |
16 |
A | |
I2valor t para fusible (tp=10ms) | I2t | 1.28 | A2s | |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción(IG=2×IGT) |
dI/dt | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | 50 |
A/μs |
Ⅳ | 10 | |||
Corriente de pico de compuerta | IGM | 2 | A | |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 0.5 | W | |
Potencia de pico de compuerta | PGM | 5 | W | |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS(Tj=25℃ salvo que se especifique lo contrario)
Parámetro |
Condición de prueba |
Cuadrante |
| Valor |
Unidad | |
T | D | |||||
IGT |
VD=12 V, RL=33Ω | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ |
MAX | 3 | 5 | mA |
Ⅳ | 5 | 10 |
| |||
VGT | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | 1.3 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MÍN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 5 | 7 | mA | |
IL |
IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ |
MAX | 5 | 5 |
mA |
Ⅱ | 10 | 20 | ||||
dV/dt | VD=0.66×VDRMTj=125℃ Apertura de puerta | MÍN | 20 | 50 | V/μs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
VTM | ITM=1.4 A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
IDRM IRRM |
VDRM= VRRM | Tj=25℃ |
MAX | 5 | µA |
Tj=125℃ | 0.5 | mA | |||
RESISTENCIAS TÉRMICAS
Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
Rth(j-c) |
unión a encapsulado (CA) | TO-92 | 60 | ℃/W |
SOT-89/SOT-223 SOT-223-2L | 31 | ℃/W | ||
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
Para obtener más información sobreYZPST-BT131descargue el archivo PDF anterior llamado «YZPST-BT131»
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
