YZPST-CR03

VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Rango de temperatura de unión de almacenamiento

Tstg

-40 ~150

℃

Rango de temperatura de unión en funcionamiento

Tj

-40~125

℃

Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T =25℃)

VDRM

1400

V

Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃)

VRRM

1400

V

Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva

VDSM

V_DRM+100

V

Tensión inversa de pico no repetitiva

VRSM

V_RRM+100

V

Corriente eficaz en estado de conducción

IT(RMS)

1.25

A

Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción

(180° ángulo de conducción, F=50 Hz)

ITSM

20

A

I2Valor t para fusión (tp=10 ms)

I2t

2.0

A2S

Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

di/dt

50

A/μS

Corriente de pico de compuerta

IGM

1.0

A

Disipación media de potencia de compuerta

PG(AV)

0.1

W

Máximodtemperatura del dispositivo para

para fines de soldadura(durante10 segundos mmáximo)

T_L

260

℃

Nivel ESD

HBM

Clase 3 (4000-16000 V)

Nivel de sensibilidad a la humedad

MSL

Tres niveles

(30℃,60 % HR, 168 h)

Resistencias térmicas

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

Rth(j-a)

unión a ambiente (CC)

60

℃/W

Rth(j-t)

Unión a la pestaña (CC)

25

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ salvo que se especifique lo contrario)

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

MÍN.

TÍP.

MAX.

IGT

V =12V R =140Ω

20

50

100

µA

VGT

-

0.8

1.0

V

VGD

V_D=V_DRMTj=125℃ R=1KΩ

0.2

V

I_L

I_G=1.2I_GT

-

-

6

mA

I_H

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600 V, RGK=1 kΩ, Tj=110 ℃

100

-

-

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Símbolo

Parámetro

Valor(MAX.)

Unidad

VTM

ITM = 2.5 A tp=380 μs

Tj =25℃

1.5

V

IDRM

VD=VDRMVR=VRRM

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

0.5

mA