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YZPST-BTA06-600BW Triac BTA06-600BW de 6 A y alta tasa dv/dt, 600 V
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BTA06/BTB06 de triacs de 6 A
YZPST-BTA06-600BW
Triac BTA06-600BW de 6 A y alta tasa dv/dt, 600 V
DESCRIPCIÓN:
Con gran capacidad para soportar choques de corriente elevadas, los triacs de la serie BTA06/BTB06 ofrecen una alta tasa dv/dt y una fuerte resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Con excelentes características de conmutación, los productos de 3 cuadrantes están especialmente recomendados para cargas inductivas. Desde los tres terminales hasta el disipador externo, BTA06 proporciona una tensión de aislamiento nominal de 2500 VRMS conforme a las normas UL
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado de reposo (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V |
Tensión repetitiva máxima inversa (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 6 | A |
Corriente máxima de pico en conducción no repetitiva (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
Valor de I²t para fusible (tp=10 ms) | I2t | 18 | A2s |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 2 | A |
disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
potencia pico de compuerta | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
3 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | |||||||
| Condición de prueba | Cuadrante | TW | SW | CW | BW | Unidad | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IH | IT100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Apertura de puerta | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
4 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | |||||
| Condición de prueba | Cuadrante | C | B | Unidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | TODOS | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TODOS | MÍN | 0.2 | V | |
| IH | IT100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
TÉRMICAS RESISTENCIAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
| TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | |||
| TO-220A (aislado)） | 3.4 | |||
| TO-220B (no aislado)） | 2.2 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | unión a case(CA) | TO-220F (aislado)） | 3.2 | |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
