YZPST-FW26025A1 transistor de potencia Darlington PNP de silicio
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Transistor de potencia Darlington PNP de silicio
DESCRIPCIÓN
·Alta ganancia de corriente continua-
: hFE = 5000 (mín.) @ IC= -2A
·Tensión de sostenimiento colector-emisor-
: VCEO(SUS) = -100V (mín.)
·Variaciones mínimas entre lotes para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento fiable.
APLICACIONES
·Diseñado para equipos industriales lineales y de conmutación
VALORES LÍMITE ABSOLUTOS MÁXIMOS (Ta=25℃)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collecar-Base Voltage |
-100 |
V |
VCEO |
Collecar-Emittar Voltage |
-100 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
IC |
Collecar Current-C-ontinuous |
-20 |
A |
ICM |
Collecar Current-Peak |
-40 |
A |
IB |
Base Current- C-ontinuous |
-0.5 |
A |
PC | Collecar Power Dissipaion @TC=25℃ |
160 |
W |
Tj |
Junction Temperatución |
200 | ℃ |
Tstg |
Sarage Temperaución Range |
-65~200 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TC=25℃ salvo que se especifique lo contrario
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONES |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
VCE(sa)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A ,IB= -40mA |
|
|
-2.0 |
V |
VCE(sa)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
VBE(sa)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; VCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
ICEO |
Collector Ctodef current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
ICEV |
Collector Ctodef current(VBE=-1.5V) | VCE= -100V, IB= 0 |
|
| -0.5 |
mA |
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ | -5 | |||||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
hFE-1* |
CC Current Gain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
hFE-2* |
CC Current Gain |
IC= -10A ; VCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
hFE-3* |
CC Current Gain |
IC= -30A ; VCE= -3V |
200 |
|
|
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
