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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
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Módulo IGBT de 1200V y 100A P/N:YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
Características：
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Diseño de baja inductancia
Menores pérdidas y mayor energía
Velocidad de conmutación ultrarrápida
Excelente robustez frente a cortocircuitos
Aplicaciones generales：
Inversor auxiliar
Calentamiento por inducción y soldadura
Sistemas UPS
Valores máximos absolutos del IGBT
| VCES | Tensión colector-emisor | 1200 | V | |
| VGES | Tensión continua entre puerta y emisor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corriente continua de colector | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corriente de colector de pulso | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Disipación máxima de potencia (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | µs | ||
| Tiempo de soportación a cortocircuito | ||||
| Temperatura máxima de unión del IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Rango máximo de temperatura de unión de operación | -40 a +150 | °C | ||
| Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento | -40 a +125 | °C | |
| VRRM | Tensión inversa de pico repetitiva Datos preliminares | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corriente directa continua del diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corriente máxima directa del diodo | 200 | A | |
Valores máximos absolutos del diodo de rueda libre
| VRRM | Tensión inversa de pico repetitiva Datos preliminares | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corriente directa continua del diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corriente máxima directa del diodo | 200 | A | |
Características de conmutacióndel IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Tiempo de retardo de activación | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Tiempo de subida en la activación | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Tiempo de caída al apagado | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Pérdida de conmutación en la activación | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5.6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Pérdida de conmutación al apagado | VGE = ±15V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Carga total de compuerta | Carga inductiva | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Resistencia de puerta integrada | f = 1M; | TJ = 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1 V | |||||||
| Cies | Capacitancia de entrada | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitancia de salida | VGE = 0 V | TJ = 25°C | 1.35 | nF | ||
| Cres | Transferencia inversa | f = 1 MHz | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| Capacitancia | |||||||
| RθJC | Resistencia térmica, unión a encapsulado (IGBT) | 0.29 | °C/W | ||||
Encapsulado Dimensión
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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