YZPST-QM3N150C MOSFET de canal N de 1500V y conmutación rápida

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CENTRO DE DOCUMENTACIÓN

MOSFET de canal N de 1500 V

YZPST-QM3N150C

Descripción general

Este MOSFET de potencia se fabrica mediante una avanzada

tecnología planar autoalineada. Esta avanzada

tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar

la resistencia en conducción, ofrecer un rendimiento de

conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en

modo de avalancha y conmutación.

Estos dispositivos pueden utilizarse en diversos circuitos de conmutación de potencia

para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

Características

3A, 1500V, RD5(on) típ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Baja carga de compuerta (típica 37 nC)

Baja capacitancia de transferencia inversa (típica 2.8 pF)

Conmutación rápida

100 % probado en avalancha

Valores máximos absolutos Tc=25 a menos que se indique lo contrario

Símbolo	Parámetro		YZPST-QM3N150C	Unidades
Voss	Tensión drenador-fuente		1500	V
Io	Corriente de drenaje	Continuo (Tc=25℃)	3	A
Io	Corriente de drenaje	Continuo (Tc=100℃)	1.8	A
IoM	Corriente de drenaje - pulsada (Nota 1)		12	A
VGss	Tensión puerta-fuente		±30	V
EAS	Energía de avalancha de pulso único (Nota 2)		225	mJ
dv/dt	dv/dt de recuperación máxima del diodo (Nota 3)		5	V/ns
Po	Disipación de potencia (Tc=25 ℃)		32	W
T, Tsts	Rango de temperatura de operación y almacenamiento		-55 a +150	℃
Tt	Temperatura máxima del terminal para soldadura a 1/8" de la carcasa durante 5 segundos		300	℃