YZPST-RGN65C035
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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P/N:YZPST-RGN65C035
FET Super-GaN de 650 V en TO-247
Características
● Fácil de excitar: compatible con controladores de compuerta estándar
● Bajas pérdidas de conducción y conmutación
● Qrr baja de 175 nC: no requiere diodo de rueda libre
● La disposición de pines GSD mejora el diseño de alta velocidad
● Tecnología GaN cualificada por JEDEC
● Conforme a RoHS y libre de halógenos
Ventajas
● Mayor eficiencia gracias a la conmutación rápida
● Mayor densidad de potencia
● Menor tamaño y peso del sistema
● Permite topologías más eficientes: fácil de implementar en diseños totém-polo sin puente
● Menor coste de la lista de materiales
Aplicaciones
● Energías renovables
● Industrial
● Automoción
● Telecomunicaciones y comunicaciones de datos
● Servomotores
Especificaciones clave | |
VDS (V) mín | 650 |
VTDS (V) máx | 800 |
RDS(on) (mΩ) máx | 41 |
Qrr (nC) típ | 175 |
Qg (nC) típ | 28 |
Valores máximos absolutos (TC = 25 °C salvo que se indique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Valor límite | Unidad |
ID 25 °C | Corriente continua de drenaje @TC=25 °C a | 50 | A |
ID 100 °C | Corriente continua de drenaje @TC=100 °C a | 31.5 | A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada (ancho de pulso: 10 µs) | 240 | A |
VDSS | Tensión drenaje-fuente | 650 | V |
VTDS | Tensión transitoria drenaje-fuente b | 800 | V |
VGSS | Tensión compuerta-fuente | ±18 | V |
PD25 °C | Disipación máxima de potencia | 178 | W |
TJ | Temperatura de unión de funcionamiento | -55 a +150 | °C |
TS | Temperatura de almacenamiento | -55 a +150 | °C |
TCSOLD | Temperatura máxima de pico de soldadura c | 260 | °C |
Resistencia térmica
Símbolo | Parámetro | Típico | Unidad |
RΘJC | Unión a carcasa | 0.7 | °C/W |
RΘJA | Unión a ambiente | 40 | °C/W |
Circuitos de prueba y formas de onda
Mecánico
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
