YZPST-SKM195GB066D
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo de potencia IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento servo de CA y CC
UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología Trench Field-stop
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluye FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10 us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión: 175℃
Absoluto Máximo Clasificaciones
Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 650 | V |
Corriente continua de colector | IC | Tc=100℃ | 200 | A |
Corriente pico de colector | ICRM | tp=1ms | 400 | A |
Tensión puerta-emisor | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Disipación total de potencia (IGBT-inversor) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 695 | W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensión umbral puerta-emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3.2mA, Tvj=25℃ | 5.1 | 5.8 | 6.3 | V |
| VCE=650V, VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Corriente de corte colector-emisor | ICES | VCE=650V, VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Colector-emisor | Ic=200A, VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.45 | 1.95 | V | ||
| Tensión de saturación | VCE(sat) | Ic=200A, VGE=15V, Tvj=125℃ | 1.65 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | VCE=25V, VGE =0V, | 12.3 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.37 | nF | ||
| Resistencia interna de puerta | Rgint | 1 | Ω | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 48 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Tiempo de retardo al apagado | td(off) | VCE =300 V | 348 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 58 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 3.6Ω | 2.32 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=25℃ | 5.85 | mJ | ||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 48 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | VCE = 300V | 364 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 102 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG =3.6Ω | 3.08 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=125℃ | 7.92 | mJ | ||
| Datos de cortocircuito | Isc | Tp≤10us, VGE=15V, Tvj=150℃, Vcc=300V, VCEM≤650V | 1000 | A | ||
Características del diodo
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Corriente directa continua del diodo | IF | Tc=100℃ | 200 | A | ||
| Corriente directa de pico del diodo | IFRM | 400 | A | |||
| IF=200A, Tvj=25℃ | 1.55 | 1.95 | V | |||
| Tensión directa | VF | IF=200A, Tvj=125℃ | 1.5 | V | ||
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Carga recuperada | Qrr | 8.05 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Corriente inversa de recuperación de pico | Irr | -diF/dt =4200A/us | 148 | A | ||
| Energía de recuperación inversa | Erec | Tvj=25℃ | 1.94 | mJ | ||
| Carga recuperada | Qrr | 16.9 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Corriente inversa de recuperación de pico | Irr | -diF/dt =4200A/us | 186 | A | ||
| Energía de recuperación inversa | Erec | Tvj=125℃ | 3.75 | mJ | ||
Características del módulo TC=25°C salvo que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| Tensión de aislamiento | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Temperatura máxima de la unión | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvj op | -40 | 125 | ℃ | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| por inversor IGBT | 0.19 | K/W | ||||
| Junta a carcasa | R θjc | por inversor de diodos | 0.31 | K/W | ||
| Carcasa a disipador | R θcs | Grasa conductora aplicada | 0.085 | K/W | ||
| Par de apriete de los electrodos del módulo | Mt | Recomendado (M5) | 2.5 | 5 | N · m | |
| Par de apriete del módulo al disipador | Ms | Recomendado (M6) | 3 | 5 | N · m | |
| Peso del módulo | G | 150 | g | |||
Encapsulado Dimensiones
Para obtener más información sobreYZPST-SKM195GB066Ddescargue el archivo PDF anterior llamado “YZPST-SKM195GB066D-R090 "
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