.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA16-800CW
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BTA16/BTB16 (BT139) Triacs de 16 A
YZPST-BTA16-800CW
DESCRIPCIÓN:
Con una alta capacidad para soportar la carga de choque de grandes corrientes, los triacs de la serie BTA16/BTB16 ofrecen una elevada tasa dv/dt y una fuerte resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Con un alto rendimiento de conmutación, productos de 3 cuadrantes especialmente recomendados para su uso en cargas inductivas. Desde los tres terminales hasta el disipador externo, el BTA16 ofrece una tensión de aislamiento nominal de 2500 VRMS conforme a las normas UL.
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
ssímbolo | valore | uUnidad |
IT(RMS) | 16 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200 | V |
VTM | ≤ 1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES:
Parámetro | Símbolol | Valore | UUnidad |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión de pico repetitiva en estado de bloqueo (Tj=25C) | VDRM | 600/800/1200 | V |
Tensión de pico repetitiva inversa (Tj=25C) | VRRM | 600/800/1200 | V |
Corriente RMS en estado de conducción | IT(RMS) | 16 | A |
Corriente de pico de sobretensión no repetitiva en estado de conducción (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 160 | A |
Valor I2t para fusión (tp=10ms) | I2t | 128 | A2s |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
Potencia máxima de compuerta | PGM | 5 | W |
ELÉCTRICAS CARACTERÍSTICAS(Tj=25C salvo que se especifique lo contrario)
3 Cuadrantes：
| Parámetro | Valore | |||||||
| Ensayo Condición | Qcuadrante | TW | SW | CW | BW | UUnidad | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | A | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0 2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 15 | 25 | 40 | 60 | A | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 30 | 50 | 70 | m | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 40 | 60 | 90 | A |
| VD=2/3VDRM Tj=125CApertura de compuertan | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 100 | 200 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 Cuadrantes：
| Parámetro | Valore | |||||
| Ensayo Condición | Qcuadrante | C | B | UUnidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | A | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | A | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MÍN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | A | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 50 | 70 | m | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 70 | 90 | A |
| VD=2/3VDRM Tj=125CApertura de compuertan | ||||||
| dV/dt | MÍN | 200 | 500 | V/µs | ||
ESTÁTICO CARACTERÍSTICAS
| Ssímbolo | Ensayo Condición | Valore | UUnidad | ||
| VTM | ITM=22.5A tp=380μs | Tj=25C | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25C | 5 | A | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj=125C | MAX | 1 | A |
TÉRMICAS RESISTENCIAS
| Ssímbolo | Ensayo Condición | Valore | UUnidad | |
| Rth(j-c) | TO-220A(Ais) | 2.1 | ℃/W | |
| TO-220B(No-Ais) | 1.3 | |||
| TO-220F(Ais) | 2.3 | |||
| unión a case(CA) | TO-263 | 2.4 | ||
INFORMACIÓN PARA PEDIDOS
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
