YZPST-75HF120TK-G1

YZPST-75HF120TK-G1

Módulo IGBT de 75A y 1200V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito autolimitada

Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito autolimitada

CHIP IGBT (tecnología Trench + Field Stop)

VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo

Conmutación rápida y tiempo de cola corto, bajas pérdidas de conmutación

Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave

Incluye detección de temperatura

APLICACIONES

Aplicación de conmutación de alta frecuencia

Convertidores para soldadura

Control de movimiento/servo

Sistemas UPS

Sistemas UPS

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES TC=25°C salvo indicación contraria especifique

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Valores	Unidad
IGBT
VCES	Tensión colector-emisor	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tensión puerta-emisor		±30	V
IC	Corriente continua de colector	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Corriente de colector de pico repetitiva	tp=1 ms	150	A
Ptot	Disipación de potencia por IGBT		500	W
Diodo
VRRM	Tensión inversa repetitiva	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Corriente media directa	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Corriente directa de pico repetitiva	tp=1 ms	150	A
I2t		TVj=125°C, t=10 ms, VR=0V	2810	A2s

CARACTERÍSTICAS DEL MÓDULO

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad
TVj máx.	Temperatura máxima de unión				150	°C
TVj op	Temperatura de funcionamiento		-40		150	°C
Tstg	Temperatura de almacenamiento		-40		125	°C
Vaisl	Tensión de prueba de aislamiento	CA, t=1 min		3000		V
Par de apriete	A carcasa	M6 recomendado	3		5	N·m
Par de apriete	A terminal	M5 recomendado	2.5		5	N·m
Peso				176		g

CONTORNO DEL PAQUETE

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