.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BT138-800E
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BT138 Triacs de 12 A
YZPST-BT138-800E
DESCRIPCIÓN
Con baja corriente de mantenimiento y de enclavamiento, BT138
Los triacs de la serie se recomiendan especialmente para
uso en cargas resistivas de potencia medianas y pequeñas.
carga.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.6 | V |
LÍMITES MÁXIMOS ABSOLUTOS:
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado de reposo (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V |
Tensión repetitiva máxima inversa (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 12 | A |
Corriente máxima de pico en conducción no repetitiva (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
120 |
A |
Valor de I²t para fusible (tp=10 ms) | I2t | 45 | A2s |
| Tasa crítica de aumento de en estado de conducción current (IG=2 × IGT) | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 50 | ||
| dI/dt | Ⅳ | 10 | A/ μs | |
| Pico de compuerta current | IGM | 2 | A | |
| Compuerta media potencia disipada | PG(AV) | 0.5 | W | |
| Pico de compuerta potencia | PGM | 5 | W | |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
3 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | ||||||
| Condición de prueba | Cuadrante | SW | CW | BW | Unidad | ||
| IGT | 10 | 35 | 50 | mA | |||
| VGT | VD=12V, RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | ||
| IH | IT100mA | MAX | 10 | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 30 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 40 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ | |||||||
| dV/dt | Apertura de puerta | MÍN | 200 | 500 | 1000 | V/ µs | |
4 cuadrantes：
| Parámetro | Valor | |||||||
| Condición de prueba | Cuadrante | D | E | F | G | Unidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 5 | 10 | 25 | 50 | ||||
| IGT | Ⅳ | 10 | 25 | 70 | 100 | mA | ||
| VGT | VD=12V, RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MAX | 1.3 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IH | IT100mA | MAX | 10 | 20 | 40 | 60 | mA | |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
